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1. (WO1994026031) DC-COUPLED ACTIVE PULL-DOWN ECL CIRCUIT WITH SELF-ADJUSTING DRIVE CAPABILITY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/026031    International Application No.:    PCT/US1994/004704
Publication Date: 10.11.1994 International Filing Date: 29.04.1994
Chapter 2 Demand Filed:    30.11.1994    
IPC:
H03K 19/003 (2006.01), H03K 19/013 (2006.01)
Applicants: SYNERGY SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 3450 Central Expressway, Santa Clara, CA 95051 (US)
Inventors: WONG, Thomas, Sing, Wai; (US)
Agent: KAUFMAN, Michael, A.; Flehr, Hohbach, Test, Albritton & Herbert, Suite 3400, 4 Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-4187 (US)
Priority Data:
08/056,199 30.04.1993 US
Title (EN) DC-COUPLED ACTIVE PULL-DOWN ECL CIRCUIT WITH SELF-ADJUSTING DRIVE CAPABILITY
(FR) CIRCUIT ECL D'EXCURSION BASSE ACTIF A LIAISON DIRECTE A CAPACITE D'ATTAQUE AUTOAJUSTABLE
Abstract: front page image
(EN)A DC-coupled active pull-down ECL circuit ('LS-APD') has a pull-down drive that self adjusts to lead conditions. A current source (Q3) sinks emitter current from first (Q1) and second (Q2) bipolar transistors. The input signal (IN) is coupled to the base of the first transistor, whose collector signal is coupled to the base of a pull-up transistor (Qpu) whose emitter is the LS-APD output voltage node (OUT). The pull-up transistor is coupled between the upper rail (Vcc) and the second transistor's collector load resistor (R2). A pull-down transistor (Qpd) has its base coupled to the second transistor's collector, its collector coupled to the LS-APD output node, and its emitter coupled to a node receiving a regulated (Vreg) voltage. As load capacitance increases, the output voltage takes longer to drop sufficiently to turn off the pull-down transistor.
(FR)Un circuit ECL d'excursion basse actif à liaison directe (LS-APD) produit un signal d'attaque qui s'adapte automatiquement aux conditions de charge. Une source de courant (Q3) reçoit le courant de l'émetteur en provenance d'un premier (Q1) et d'un deuxième (Q2) transistors bipolaires. Le signal d'entrée (ENTREE) est couplé à la base du premier transistor dont le signal collecteur est couplé à la base d'un transistor d'excursion haute (Qpu) dont l'émetteur est le n÷ud de tension de sortie LS-APD (SORTIE). Le transistor d'excursion haute est couplé entre le pôle supérieur (Tcc) et la résistance de charge (R2) du collecteur du deuxième transistor. La base d'un transistor d'excursion basse (Qpd) est couplée au collecteur du deuxième transistor, son collecteur étant couplé au n÷ud de sortie LS-APD et son émetteur à un n÷ud recevant une tension régulée (Treg). A mesure que la capacité de charge augmente, la tension de sortie diminue plus lentement de manière à éteindre le transistor d'excursion basse.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)