WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1994025977) METHOD AND APPARATUS FOR ETCHBACK ENDPOINT DETECTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/025977    International Application No.:    PCT/US1994/004652
Publication Date: 10.11.1994 International Filing Date: 28.04.1994
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95052-8039 (US)
Inventors: GHANAYEM, Steve, G.; (US)
Agent: GUENZER, Charles, S.; Applied Materials, Inc., 3050 Bowers Avenue, M/S 0934, Santa Clara, CA 95052-8039 (US)
Priority Data:
08/055,066 28.04.1993 US
08/141,171 22.10.1993 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR ETCHBACK ENDPOINT DETECTION
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE DETECTION DU POINT FINAL D'UNE GRAVURE EN RETRAIT
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus (110) for determining the endpoint (e.g., TC1) of an etching step in a plasma etching process (101) for use in semiconductor wafer manufacturing. In one embodiment, an optical bandpass filter (e.g., 1542) is used for detecting a wavelength of electromagnetic emissions from elements of a chlorine-argon plasma employed to etch a titanium nitride layer from a semiconductor wafer so as to achieve a more precise determination of the endpoint of the process step. In another embodiment, a plurality of wavelengths (e.g., 1541-1544) in the electromagnetic emissions from elements in the plasma are combined for even more precise determination of the endpoint of a process step. The emissions of interest may be from the same or different elements in the plasma which may be produced by the etching materials or by materials from the wafer being etched.
(FR)Procédé et appareil (110) de détermination du point final (par exemple, TC1) d'une étape de gravure dans un procédé de gravure au plasma (101), destinés à être utilisés dans la production de tranches de semi-conducteur. Dans un mode de réalisation, on utilise un filtre optique passe-bande (par exemple, 1542) pour détecter une longueur d'ondes d'émissions électromagnétiques d'éléments d'un plasma au chlore-argon utilisé pour graver une couche de nitrure de titane d'une tranche de semi-conducteur, de manière à obtenir une détermination plus précise du point final de l'étape de traitement. Dans un autre mode de réalisation, on combine une pluralité de longueurs d'ondes (par exemple, 1541-1544) dans les émissions électromagnétiques d'éléments se trouvant dans le plasma, afin d'obtenir une détermination encore plus précise du point final d'une étape de traitement. Les émissions d'intérêt peuvent provenir d'éléments identiques ou différents dans le plasma, lesquels peuvent être produits par les matériaux de gravure ou par des matériaux provenant de la tranche gravée.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)