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1. (WO1994025971) A PROCESS FOR MAKING AN IMPROVED TANTALUM POWDER AND HIGH CAPACITANCE LOW LEAKAGE ELECTRODE MADE THEREFROM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/025971    International Application No.:    PCT/US1994/004207
Publication Date: 10.11.1994 International Filing Date: 15.04.1994
IPC:
C22C 1/04 (2006.01)
Applicants: CABOT CORPORATION [US/US]; 75 State Street, Boston, MA 02109-1806 (US)
Inventors: CHANG, Hongju; (US)
Agent: KORIS, David, J.; Cabot Corporation, 157 Concord Road, Billerica, MA 01821-7001 (US)
Priority Data:
08/052,876 26.04.1993 US
Title (EN) A PROCESS FOR MAKING AN IMPROVED TANTALUM POWDER AND HIGH CAPACITANCE LOW LEAKAGE ELECTRODE MADE THEREFROM
(FR) PROCEDE POUR FABRIQUER UNE POUDRE DE TANTALE AMELIOREE ET ELECTRODE A CAPACITANCE ELEVEE ET FAIBLES FUITES FABRIQUEE AVEC CETTE POUDRE
Abstract: front page image
(EN)A process for producing capacitor grade powder, electrodes, and finished capacitors therefrom having reduced electrical leakage characteristics. The powder is prepared by reacting Group V-B base materials with quantities of between 500 to 7000 ppm of nitrogen and 700 to 3000 ppm of oxygen. Electrical leakage is reduced by at least 28 % for electrodes anodized at 100 volts or greater in comparison with electrodes and finished capacitors made from undoped materials. A range of specific charge of up to 25,000 uFV/g is achieved for sintering temperatures of 1400 °C to 1800 °C.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une poudre de qualité condensateur, des électrodes et des condensateurs finis à partir de cette poudre, ayant des caractéristiques de fuite électrique réduites. La poudre est préparée par mise en réaction de matériaux de base du groupe V-B avec des quantités d'azote entre 500 et 7000 ppm et d'oxygène entre 700 et 3000 ppm. Les fuites électriques sont réduites d'au moins 28 % pour les électrodes anodisées à 100 volts et plus, par rapport aux électrodes et aux condensateurs finis faits de matériaux non dopés. Une gamme de charge spécifique allant jusqu'à 25000 uFV/g est obtenue pour des températures de frittage comprises entre 1400 °C et 1800 °C.
Designated States: AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, GE, HU, JP, KR, KZ, LK, LU, LV, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SI, SK, TT, UA, UZ, VN.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)