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1. (WO1994025969) HIGH-TEMPERATURE JOSEPHSON JUNCTION AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/025969    International Application No.:    PCT/US1994/004674
Publication Date: 10.11.1994 International Filing Date: 28.04.1994
IPC:
H01L 39/22 (2006.01)
Applicants: VARIAN ASSOCIATES, INC. [US/US]; 3050 Hansen Way, Palo Alto, CA 94304 (US)
Inventors: BOZOVIC, Ivan; (US).
ECKSTEIN, James, N.; (US).
KLAUSMEIER-BROWN, Martin, E.; (US).
VIRSHUP, Gary, F.; (US)
Agent: BERKOWITZ, Edward, H.; Varian Associates, Inc., 3100 Hansen Way, Legal Department E-339, Palo Alto, CA 94304 (US)
Priority Data:
08/056,557 30.04.1993 US
Title (EN) HIGH-TEMPERATURE JOSEPHSON JUNCTION AND METHOD
(FR) JONCTION DE JOSEPHSON HAUTE TEMPERATURE ET PROCEDE ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A hysteretic high-T.sub.C. trilayer Josephson junction (10), and a method of forming the same are disclosed. The junction includes lower and upper high-T.sub.C superconducting cuprate films (18, 22) separated by a barrier layer (20), where the thin films each include a molecular junction layer adjacent the barrier layer which is characterized by a high-T.sub.C cuprate stoichiometry and crystal structure, and a flat two-dimensional surface, as evidenced by its electron diffraction pattern using reflected high-energy electron diffraction. The junction and barrier layers in the junction are formed by atomic layer-by-layer deposition.
(FR)L'invention se rapporte à une jonction de Josephson tricouche à haute température sous-critique de type hystérétique (10), ainsi qu'à un procédé pour former une telle jonction. Ladite jonction comprend deux minces films de cuprate supraconducteurs inférieur et supérieur à haute température sous-critique (18, 22), qui sont séparés par une couche barrière (20) et qui comportent chacun à proximité adjacente de la couche barrière une couche de jonction moléculaire, laquelle se caractérise par une structure cristalline et st÷chiométrique du cuprate à haute température sous-critique, ainsi que par une surface bidimensionnelle plate telle qu'elle est mise en évidence par son modèle de diffraction des éléctrons utilisant la diffraction des électrons à haute énergie réfléchie. La jonction et les couches barrières de la jonction sont formées par dépôt couche par couche atomique.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)