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1. (WO1994025904) POSITIVE ELECTRON-BEAM RESIST COMPOSITION AND DEVELOPER FOR POSITIVE ELECTRON-BEAM RESIST
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/025904    International Application No.:    PCT/JP1994/000720
Publication Date: 10.11.1994 International Filing Date: 28.04.1994
IPC:
G03F 7/022 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01)
Applicants: TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 2-1, Nihonbashi Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 103 (JP) (For All Designated States Except US).
OOSEDO, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATAOKA, Mayumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANETSUKI, Shigeyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAMURA, Kazutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASANO, Masaya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OOSEDO, Hiroki; (JP).
KANETSUKI, Shigeyoshi; (JP).
TAMURA, Kazutaka; (JP).
ASANO, Masaya; (JP).
KATAOKA, Mutsuo;
Priority Data:
5/102428 28.04.1993 JP
Title (EN) POSITIVE ELECTRON-BEAM RESIST COMPOSITION AND DEVELOPER FOR POSITIVE ELECTRON-BEAM RESIST
(FR) COMPOSITION DE RESIST ELECTRONIQUE POSITIF ET SON DEVELOPPATEUR
Abstract: front page image
(EN)A positive electron-beam resist composition comprising a cresol novolak resin, a low-molecular additive with a specified structure, and a quinone diazide compound with a specified structure; and a developer for positive electron-beam resist containing an alkali metal ion, a weak acid radical ion, and a water-soluble organic compound each in a specified amount. The invention resist composition is excellent in dry etching resistance and resolution, and can provide fine patterns at a high sensitivity especially when the invention developer is used.
(FR)Composition de résist électronique positif comprenant une résine novolaque crésolique, un additif à faible poids moléculaire et à structure spécifiée, et un composé diazide de quinone à structure spécifiée; ainsi qu'un développateur pour résist électronique positif contenant un ion métal alcalin, un ion radical acide faible, et un composé organique hydrosoluble, chacun dans une quantité spécifiée. Cette composition de résist présente une résistance à l'attaque à sec et une définition excellentes, et permet d'obtenir des motifs fins avec une sensibilité élevée, notamment lorsque le développateur décrit est utilisé.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)