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1. (WO1994016465) SUPERLATTICE STRUCTURES PARTICULARLY SUITABLE FOR USE AS THERMOELECTRIC COOLING MATERIALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/016465    International Application No.:    PCT/US1993/008134
Publication Date: 21.07.1994 International Filing Date: 30.08.1993
Chapter 2 Demand Filed:    27.07.1994    
IPC:
H01L 35/16 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventors: HARMAN, Theodore, C.; (US)
Agent: FELGER, Thomas, R.; Baker & Botts, 2001 Ross Avenue, Suite 800, Dallas, TX 75201-2916 (US)
Priority Data:
08/002,451 12.01.1993 US
Title (EN) SUPERLATTICE STRUCTURES PARTICULARLY SUITABLE FOR USE AS THERMOELECTRIC COOLING MATERIALS
(FR) SURSTRUCTURES PARTICULIEREMENT APTES A ETRE UTILISEES COMME MATERIAUX DE REFROIDISSEMENT THERMOELECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)A superlattice comprising alternating layers of (PbTeSe)¿m? and (BiSb)¿n? (where m and n are the number of PbTeSe and BiSb monolayers per superlattice period, respectively) having engineered electronic structures for improved thermoelectric cooling materials (and other uses) may be grown by molecular beam epitaxial growth. Preferably, for short periods, n + m $m(f) 50. However, superlattice films with 10,000 or more such small periods may be grown. For example, the superlattice may comprise alternating layers of (PbTe¿1-z?Se¿z?)¿m? and (Bi¿x?Sb¿1-x?)¿n?. According to a preferred embodiment, the superlattice comprises a plurality of layers comprising m layers of PbTe¿0.8?Se¿0.2? and n layers of Bi¿0.9?Sb¿0.1?, where m and n are preferably between 2 and 20.
(FR)Surstructure comprenant des couches alternées de (PbTeSe)¿m? et de (BiSb)¿n? (m et n représentant respectivement le nombre de monocouches de PbTeSe et de BiSb par période de surstructure) et présentant des structures électroniques conçues pour produire des matériaux de refroidissement thermoélectriques (et également destinés à d'autres utilisations). Cette structure peut être obtenue par croissance épitaxiale par faisceau moléculaire. De préférence, pour des périodes courtes, n + m $m(f) 50. Cependant, des films à surstructure présentant au moins 10,000 périodes courtes de ce type peuvent également être mis en croissance. La surstructure peut par exemple comprendre des couches alternées de (PbTe¿e-z?Se¿z?)¿m? et de (Bi¿x?Sb¿e-x?)¿n?. Selon le mode préféré de réalisation, la surstructure comprend une multiplicité de couches contenant m couches de PbTe¿0,8?Se¿0,2? et n couches de Bi¿0,9?Sb¿0,1?, m et n étant de préférence compris entre 2 et 20.
Designated States: AU, BB, BG, BR, BY, CA, CZ, FI, HU, JP, KP, KR, KZ, LK, MG, MN, MW, NO, NZ, PL, RO, RU, SD, SK, UA, VN.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)