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1. (WO1994016459) SEMICONDUCTOR EXPITAXIAL SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/016459    International Application No.:    PCT/JP1994/000032
Publication Date: 21.07.1994 International Filing Date: 12.01.1994
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541 (JP) (For All Designated States Except US).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKUHARA, Noboru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKATA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INUI, Katsumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HATA, Masahiko; (JP).
FUKUHARA, Noboru; (JP).
TAKATA, Hiroaki; (JP).
INUI, Katsumi; (JP)
Agent: HAGINO, Taira; Eikoh Patent Office, 28th Floor, ARK Mori Building, 12-32, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP)
Priority Data:
5/3948 13.01.1993 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR EXPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT EPITAXIAL SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)Crystals are formed by epitaxial growth on a monocrystalline substrate of gallium arsenide, and the orientation of the crystallographical plane of the substrate is inclined at an angle of under one degree with respect to the orientation of the crystallographical plane of one of the {100} planes thereof. At least a part of the epitaxial crystals are crystals of In¿x?Ga¿(1-x)?As (where 0 $m(f) x $m(f) 1). The epitaxial growth is made by a thermal decomposition vapor phase growth method. The microscopical surface roughness of the In¿x?Ga¿(1-x)?As layer is small. The variation of the film thickness is also small. Therefore, by using this epitaxial substrate for the channel layer of a field effect transistor, and the active layer of a semiconductor laser, it is possible to give excellent characteristics to these elements.
(FR)Des cristaux sont formés par croissance épitaxiale sur un substrat monocristallin d'arsénure de gallium, et l'orientation du plan cristallographique du substrat est inclinée à un angle inférieur à un degré par rapport à l'orientation du plan cristallographique de l'un des {100} plans de celui-ci. Au moins une partie des cristaux épitaxiaux sont des cristaux de In¿x?Ga¿(1-x)?As (où 0 $m(f) x $m(f) 1). La croissance épitaxiale est obtenue selon un procédé de croissance en phase vapeur par décomposition thermique. La rugosité superficielle microscopique de la couche de In¿x?Ga¿(1-x)?As est faible. Les variations de l'épaisseur de la couche sont également faibles. Ainsi, en utilisant ledit substrat épitaxial pour former le canal d'un transistor à effet de champ, et la couche active d'un laser à semiconducteur, on peut donner à ces éléments d'excellentes caractéristiques.
Designated States: CA, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)