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1. (WO1994015389) PERIODIC DIELECTRIC STRUCTURE FOR PRODUCTION OF PHOTONIC BAND GAP AND DEVICES INCORPORATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/015389    International Application No.:    PCT/US1993/012432
Publication Date: 07.07.1994 International Filing Date: 21.12.1993
Chapter 2 Demand Filed:    18.07.1994    
IPC:
G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/136 (2006.01)
Applicants: IOWA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 214 O & L, Ames, IA 50011-3020 (US)
Inventors: OZBAY, Ekmel; (US).
TUTTLE, Gary; (US).
MICHEL, Erick; (US).
HO, Kai-Ming; (US).
BISWAS, Rana; (US).
CHAN, Che-Ting; (US).
SOUKOULIS, Costas; (US)
Agent: MCNEIL, Matthew, C.; Leydig, Voit & Mayer, Ltd., Two Prudential Plaza, Suite 4900, 180 North Stetson, Chicago, IL 60601-6780 (US)
Priority Data:
995,248 22.12.1992 US
151,274 12.11.1993 US
Title (EN) PERIODIC DIELECTRIC STRUCTURE FOR PRODUCTION OF PHOTONIC BAND GAP AND DEVICES INCORPORATING THE SAME
(FR) STRUCTURE DIELECTRIQUE PERIODIQUE DE PRODUCTION DE BANDE INTERDITE PHOTONIQUE ET DISPOSITIFS L'INCORPORANT
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating a periodic dielectric structure which exhibits a photonic band gap. Alignment holes are formed in a wafer of dielectric material having a given crystal orientation. A planar layer of elongate rods is then formed in a section of the wafer. The formation of the rods includes the step of selectively removing the dielectric material of the wafer between the rods. The formation of alignment holes and layers of elongate rods and wafers is then repeated to form a plurality of patterned wafers. A stack of patterned wafers is then formed by rotating each successive wafer with respect to the next-previous wafer, and then placing the successive wafer on the stack. This stacking results in a stack of patterned wafers having a four-layer periodicity exhibiting a photonic band gap.
(FR)Procédé de production d'une structure diélectrique périodique présentant une bande interdite photonique. On forme des trous d'alignement dans une tranche de matériau diélectrique présentant une orientation des cristaux donnée. Ensuite, on forme une couche plane de tiges allongées dans une section de la tranche. La formation des tiges comprend l'étape consistant à éliminer sélectivement le matériau diélectrique de la tranche située entre les tiges. La formation de trous d'alignement et de couches de tiges allongées et de tranches est ensuite répétée afin de former une pluralité de tranches configurées. On forme ensuite une pile de tranches configurées en faisant tourner chaque tranche successive par rapport à la tranche suivante-précédente, puis par mise en place de la tranche successive sur la pile. Cet empilage permet d'obtenir une pile de tranches configurées ayant une périodicité à quatre couches présentant une bande interdite photonique.
Designated States: CA, JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)