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1. (WO1994015366) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/015366    International Application No.:    PCT/JP1993/001850
Publication Date: 07.07.1994 International Filing Date: 21.12.1993
Chapter 2 Demand Filed:    22.07.1994    
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 23/14 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP).
SHIMADA, Hisayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHMI, Tadahiro; (JP).
SHIMADA, Hisayuki; (JP).
HIRAYAMA, Masaki; (JP)
Agent: FUKUMORI, Hisao; 12, Honshio-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Priority Data:
4/343030 24.12.1992 JP
4/181998 28.06.1993 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device has a large capacity of power driving, and can operate at a high speed. A first semiconductor region of a first conductivity type is formed on a metal substrate through a first insulating film. In the first semiconductor region, first source and drain regions of a second conductivity type are formed. Further, on the region which isolates the first source and drain regions, a first metallic gate electrode is formed through a second insulating film.
(FR)Ce dispositif à semiconducteurs présente une grande capacité d'excitation et peut fonctionner à grande vitesse. Une première région à semiconducteurs présentant un premier type de conductivité est formée sur un substrat métallique par une première couche isolante. Des premières régions source et drain présentant un deuxième type de conductivité sont formées dans la première région à semiconducteurs. De plus, une première électrode de commande métallique est formée dans une seconde couche isolante, sur la région qui isole les premières régions source et drain.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)