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1. (WO1994015361) FET CHIP WITH HEAT-EXTRACTING BRIDGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/015361    International Application No.:    PCT/US1993/012495
Publication Date: 07.07.1994 International Filing Date: 21.12.1993
IPC:
H01L 23/367 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Applicants: HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 7200 Hughes Terrace, Los Angeles, CA 90045-0066 (US)
Inventors: WOOLDRIDGE, John, J.; (US).
PODELL, Allen, F.; (US)
Agent: ALKOV, Leonard, A.; Hughes Aircraft Company, P.O. Box 80028, Building C1/M. S. A126, Los Angeles, CA 90080-0028 (US)
Priority Data:
07/994,822 22.12.1992 US
Title (EN) FET CHIP WITH HEAT-EXTRACTING BRIDGE
(FR) PUCE A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP AVEC PONT D'EXTRACTION DE CHALEUR
Abstract: front page image
(EN)Semiconductor with field effect transistors therein has a substantial metallic source bridge joining the adjacent FET sources. The source bridge is mounted against a heat extracting support to both support the FET and cool it.
(FR)L'invention se rapporte à une puce de semiconducteur dans laquelle sont incorporés des transistors à effet de champ et qui comprend un pont de source essentiellement en métal reliant les sources de transistors à effet de champ adjacentes. Le pont de source est monté contre un support d'extraction de chaleur, qui sert à la fois à soutenir les transistors à effet de champ et à les refroidir.
Designated States: AU, CA, JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)