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1. (WO1994015356) SINGLE CRYSTAL SILICON ON QUARTZ
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/015356    International Application No.:    PCT/US1993/008172
Publication Date: 07.07.1994 International Filing Date: 30.08.1993
Chapter 2 Demand Filed:    27.06.1994    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/764 (2006.01)
Applicants: HONEYWELL INC. [US/US]; Honeywell Plaza, Minneapolis, MN 55408 (US)
Inventors: SARMA, Kalluri, R.; (US).
CHANLEY, Charles, S.; (US)
Agent: SHUDY, John, G., Jr.; Honeywell Inc., Honeywell Plaza - MN12 - 8251, Minneapolis, MN 55408 (US)
Priority Data:
07/998,968 29.12.1992 US
Title (EN) SINGLE CRYSTAL SILICON ON QUARTZ
(FR) SILICIUM MONOCRISTALLIN SUR QUARTZ
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating single crystal islands (34) on a high temperature substrate (20), thereby allowing for the use of high temperature processes to further make devices incorporating the islands (34) such as, for example, high mobility thin film transistor integrated drivers (13) for active matrix displays (10). The method essentially includes depositing an etch stop layer (30) on a single crystal silicon substrate (18), depositing a single crystal silicon device layer (32) on the etch stop layer (30), bonding a quartz substrate (20) to the single crystal silicon device layer (32) at room temperature, sealing and securing with an adhesive the edges of the single crystal silicon substrate (18), the etch stop layer (30), the single crystal silicon device layer (32) and the quartz substrate (20), grinding away a portion of the silicon substrate (18) and a portion of the adhesive (22), etching away the remaining portion of the silicon substrate (18), removing the remaining portion of the adhesive (22), etching away the etch stop layer (30), applying a photoresist mask on the single crystal silicon device layer (32) for defining the islands (34) on the single crystal silicon device layer (32), etching single crystal silicon islands (34), and the first non-room-temperature process of diffusion bonding the single crystal silicon islands (34) to the quartz substrate (20).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'îlots monocristallins (34) sur un substrat (20) à haute température qui permet l'utilisation de procédés à haute température pour réaliser des dispositifs comprenant les îlots (34), comme par exemple des circuits d'attaque intégrés (13) à transistors à couche mince à haute mobilité pour des affichages (10) matriciels actifs. Le procédé consiste essentiellement à déposer une couche d'arrêt (30) d'attaque sur un substrat (18) de silicium monocristallin, à déposer une couche (32) du dispositif de silicium monocristallin sur la couche d'arrêt (30) d'attaque, à lier un substrat en quartz (20) à la couche (32) du dispositif de silicium monocristallin à température ambiante, à sceller et à fixer avec un adhésif les bords du substrat (18) de silicium monocristallin, la couche d'arrêt (30) d'attaque , la couche (32) du dispositif de silicium monocristallin et le substrat en quartz (20), à enlever par meulage une partie du substrat (18) de silicium et une partie de l'adhésif (22), à enlever par attaque la partie restante du substrat (18) de silicium, à enlever la partie restante de l'adhésif (22), à enlever par attaque la couche d'arrêt (30) d'attaque, à appliquer un masque d'agent de gravure sur la couche (32) du dispositif de silicium monocristallin pour délimiter les îlots (34) sur la couche (32) du dispositif de silicium monocristallin, à soumettre à l'attaque les îlots (34) de silicium monocrilstallin et enfin à procéder à la première fixation par un procédé de diffusion à une température non ambiante des îlots (34) de silicium monocristallin au substrat (20) de quartz.
Designated States: FI, JP, KR, RU.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)