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1. (WO1994015223) MAGNETO-RESISTIVE SENSOR WITH A SYNTHETIC ANTI-FERROMAGNET, AND A METHOD OF PRODUCING THE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/015223    International Application No.:    PCT/DE1993/001204
Publication Date: 07.07.1994 International Filing Date: 16.12.1993
Chapter 2 Demand Filed:    07.07.1994    
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
VAN DEN BERG, Hugo [NL/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: VAN DEN BERG, Hugo; (DE)
Priority Data:
P 42 43 358.4 21.12.1992 DE
Title (DE) MAGNETOWIDERSTANDS-SENSOR MIT KÜNSTLICHEM ANTIFERROMAGNETEN UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) MAGNETO-RESISTIVE SENSOR WITH A SYNTHETIC ANTI-FERROMAGNET, AND A METHOD OF PRODUCING THE SENSOR
(FR) DETECTEUR MAGNETO-RESISTIF MUNI D'UNE SUBSTANCE ANTIFERROMAGNETIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Ein Magnetowiderstands-Sensor gemäß der Erfindung enthält wenigstens eine Meßschicht (2) mit einer Magnetisierung (M^¨B7¿M?) in der Schichtebene und eine Biasschicht (6) mit einer festen Magnetisierung (M^¨B7¿B?) in der Schichtebene, die durch eine Zwischenschicht (4) voneinander austauschentkoppelt sind. Zur magnetostatischen Entkoppelung der Meßschicht (2) und der Biasschicht (6) in einem 'künstlichen Antiferromagneten' antiferromagnetisch über eine Koppelungsschicht (8) an eine Magnetschicht (10) gekoppelt. In einer vorteilhaften Ausführungsform sind die Magnetisierungen (M^¨B7¿M? und M^¨B7¿B?) der Meßschicht (2) und der Biasschicht (6) wenigstens annähernd orthogonal zueinander. So erhält man einen Sensor mit linearer Kennlinie und maximaler Empfindlichkeit.
(EN)The magneto-resistive sensor proposed includes at least one measurement layer (2) with a magnetization (M^¨B7¿M?) in the plane of the layer and a bias layer (6) with a permanent magnetization (M^¨B7¿B?) in the plane of the layer, these two layers being mutually decoupled from each other by an intermediate layer (4). In order to decouple the measurement layer (2) magnetostatically from the bias layer (6), the side of the bias layer (6) remote from the measurement layer (2) is anti-ferromagnetically coupled via a coupling layer (8) to a magnetic layer (10) to form a 'synthetic anti-ferromagnet'. In a preferred embodiment, the magnetizations (M^¨B7¿M? and M^¨B7¿M?) of the measurement layer (2) and the bias layer (6) are at least approximately orthogonal to each other. This gives a sensor with a linear characteristic and maximum sensitivity.
(FR)L'invention concerne un détecteur antiferromagnétique qui comprend au moins une couche de mesure (2) avec une aimantation (M^¨B7¿M?) dans le plan de la couche et une couche de polarisation (6) avec une aimantation fixe (M^¨B7¿B?) dans le plan de la couche. Ces deux couches sont découplées l'une de l'autre de manière réciproque par une couche intermédiaire (4). Pour découpler de manière magnétostatique la couche de mesure (2) de la couche de polarisation (6), le côté de la couche de polarisation (6) opposé à la couche de mesure (2) est couplé de manière antiferromagnétique à une couche magnétique (10) par l'intermédiaire d'une couche de couplage (8), afin de former une 'substance synthétique antiferromagnétique'. Dans un mode de réalisation avantageux, les aimantations (M^¨B7¿M? et M^¨B7¿B?) de la couche de mesure (2) et de la couche de polarisation (6) sont au moins approximativement orthogonales l'une par rapport à l'autre. Ce procédé permet d'obtenir un détecteur ayant une caractéristique linéaire et une sensibilité maximale.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)