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1. (WO1994014858) METAL ION REDUCTION IN POLYHYDROXYSTYRENE AND PHOTORESISTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/014858    International Application No.:    PCT/US1993/012408
Publication Date: 07.07.1994 International Filing Date: 20.12.1993
Chapter 2 Demand Filed:    27.07.1994    
IPC:
C08F 8/00 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01)
Applicants: HOECHST CELANESE CORPORATION [US/US]; Route 202-206 North, Somerville, NJ 08876 (US)
Inventors: RAHMAN, M., Dalil; (US).
SHEEHAN, Michael, T.; (US)
Agent: SAYKO, Andrew, F., Jr.; Hoechst Celanese Corporation, 86 Morris Avenue, Summit, NJ 07901 (US)
Priority Data:
07/996,917 29.12.1992 US
Title (EN) METAL ION REDUCTION IN POLYHYDROXYSTYRENE AND PHOTORESISTS
(FR) REDUCTION DE LA TENEUR EN IONS METALLIQUES DANS LE POLYHYDROXYSTYRENE ET LES PHOTORESISTS
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble polyhydroxystyrene having a very low level of chloride and metal ions, utilizing treated anionic and acidic ion exchange resins. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such polyhydroxystyrene and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
(FR)L'invention concerne des procédés de production de polyhydroxystyrène aqueux soluble dans l'alcali et insoluble dans l'eau présentant une très faible teneur en chlorure et ions métalliques, à l'aide de résines échangeuses d'ions traitées anioniques et acides. L'invention se rapporte également à un procédé de production d'une composition à photorésist à très faible teneur en ions métalliques à partir dudit polyhydroxystyrène et à un procédé de production de dispositifs à semiconducteurs à l'aide desdites compositions à photorésist.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)