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1. (WO1994000882) THIN FILM TRANSISTOR, SOLID-STATE DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1994/000882    International Application No.:    PCT/JP1993/000849
Publication Date: 06.01.1994 International Filing Date: 23.06.1993
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163 (JP) (For All Designated States Except US).
INOUE, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: INOUE, Satoshi; (JP)
Agent: SUZUKI, Kisaburo; Seiko Epson Corporation, 4-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163 (JP)
Priority Data:
4/166021 24.06.1992 JP
4/315331 25.11.1992 JP
4/325315 04.12.1992 JP
Title (EN) THIN FILM TRANSISTOR, SOLID-STATE DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A COUCHES MINCES, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A COUCHES MINCES
Abstract: front page image
(EN)A thin film transistor having improved off-current characteristic and other electric characteristics, comprises an n?-¿ source region (112) and an n?-¿ drain region (113) which are made up of an n?-¿ type silicon film (low concentration region) having a thickness of approximately 400 Å. The silicon film is formed by crystallizing amorphous silicon by, for instance, an SPC technique. The crystallization is executed after the introduction of impurities, serving to activate the impurities. A gate electrode (116) is a metallic electrode and is formed after the formation of the n?-¿ source region (112) and n?-¿ drain region (113). The gate electrode (116), the n?-¿ source region (112), and the n?-¿ drain region (113) are not formed in a self-alignment manner.
(FR)Un transistor à couches minces présente des caractéristiques hors-tension et d'autres caractéristiques électriques améliorées. Il comprend une source n?-¿ (112) et un drain n?-¿ (113) constitués d'une couche de silicium de type n?-¿ (région à faible concentration) dotée d'une épaisseur d'environ 400 Å. Cette couche de silicium se forme par cristallisation de silicium amorphe par la technique SPC par exemple, cristallisation qui survient après l'introduction d'impuretés servant à l'activer. On forme une électrode de grille (116) de type métallique une fois réalisés la source n?-¿ (112) et le drain n?-¿ (113). L'électrode de grille (116), la source n?-¿ (112) et le drain n?-¿ (113) ne sont pas formés en auto-alignement.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)