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1. (WO1993021690) POWER DRIVER CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1993/021690    International Application No.:    PCT/US1993/003368
Publication Date: 28.10.1993 International Filing Date: 09.04.1993
Chapter 2 Demand Filed:    08.11.1993    
IPC:
H03K 17/0412 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01), H03K 17/691 (2006.01)
Applicants: HARRIS CORPORATION [US/US]; 1025 West NASA Boulevard, Melbourne, FL 32919 (US)
Inventors: PRENTICE, John, S.; (US)
Agent: ROGERS, L., Lawton, III; Rogers & Killeen, 510 King Street, Suite 400, Alexandria, VA 22314 (US)
Priority Data:
865,868 09.04.1992 US
Title (EN) POWER DRIVER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)A power driver circuit for turning a semiconductor switching device on and off in response to receipt of a control signal includes a trigger circuit (Q2) that turns on a latching switch (SCR1) at a speed that is independent of the rate of change of the control signal. The trigger circuit (Q2) is responsive to the control signal to apply a current from the semiconductor switching device to the latching switch (SCR1). A high speed SCR may be used as the latching switch and may be triggered by a small trigger current from the gate of the semiconductor switching device fed to both the anode and cathode gates of the SCR. High speed diodes may also be used to increase the speed of the circuit. The power driver circuit improves the efficiency of the semiconductor switching device by decreasing the time the switching device spends in transition between its two steady states.
(FR)Un circuit de puissance permet de bloquer ou débloquer un dispositif de bloquer ou débloquer un dispositif de commutation à semi-conducteur lors de la réception d'un signal de commande. Il comporte un circuit de déclenchement (Q2) qui débloque un commutateur à verrouillage (SCR1) à une vitesse indépendante de la fréquence de changement propre au signal de commande. Le circuit de déclenchement (Q2) réagit au signal de commande en appliquant un courant venant du dispositif de commutation à semi-conducteur au commutateur à verrouillage (SCR1). On peut utiliser en guise de commutateur à verrouillage un thyristor à haute vitesse qui peut être déclenché par un courant de déclenchement réduit provenant de la porte du dispositif de commutation à semi-conducteur et dirigé vers les portes d'anode et de cathode du thyristor. On peut aussi utiliser des diodes à haute vitesse pour accroître la vitesse du circuit. Le circuit de puissance améliore l'efficacité du dispositif de commutation à semi-conducteur en diminuant le temps mis par ce dernier pour passer d'un régime permanent à l'autre.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)