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1. (WO1993021671) MANUFACTURE OF GRATING STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1993/021671    International Application No.:    PCT/GB1993/000750
Publication Date: 28.10.1993 International Filing Date: 08.04.1993
Chapter 2 Demand Filed:    20.05.1993    
IPC:
G02B 6/124 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01S 5/12 (2006.01)
Applicants: NORTHERN TELECOM LIMITED [CA/CA]; World Trade Center of Montreal, 380 St Antoine Street West, 8th Floor, Montreal, Quebec H2Y 3Y4 (CA) (For All Designated States Except US).
PHILLIPS, Nicholas, John [GB/GB]; (GB) (For US Only).
YEO, Terence, Edward [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: PHILLIPS, Nicholas, John; (GB).
YEO, Terence, Edward; (GB)
Agent: LAURENCE, Simon, French; Northern Telecom Europe Limited, Patents and Licensing, West Road, Harlow, Essex CM20 2SH (GB)
Priority Data:
9207627.2 08.04.1992 GB
Title (EN) MANUFACTURE OF GRATING STRUCTURES
(FR) FABRICATION DE STRUCTURES DE RESEAU
Abstract: front page image
(EN)An embossing tool (40) is constructed with the patterning appropriate for the construction of the optical grating structure of a DFB laser. This tool is advanced into the surface of a UV-curable resin layer (51) applied to the surface of a semiconductor slice (50), and the resulting embossed portion of the resin layer (51) is thinned to create ridges (80) separated by intervening windows to form a mask for etching of the channels (81) of a DFB grating structure in the surface of the underlying semiconductor slice.
(FR)Un outil à nervurer (40) est réalisé avec un motif approprié pour produire une structure de réseau optique d'un laser à rétroaction répartie. Cet outil est pressé dans une couche de résine qui est capable de durcir par exposition aux UV (51) et qui se trouve sur la surface d'une plaquette de semi-conducteur (50). On forme ainsi dans la couche de résine (51) des fenêtres séparées par des crêtes intermédiaires (80). On obtient alors un masque pour une attaque chimique permettant de créer les canaux (81) de la structure de réseau à rétroaction répartie dans la surface sous-jacente de la plaquette de semi-conducteur.
Designated States: GB, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)