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1. (WO1993021656) SEMICONDUCTOR WAFER TEMPERATURE DETERMINATION BY OPTICAL MEASUREMENT OF WAFER EXPANSION IN PROCESSING APPARATUS CHAMBER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1993/021656    International Application No.:    PCT/US1993/003254
Publication Date: 28.10.1993 International Filing Date: 05.04.1993
Chapter 2 Demand Filed:    11.11.1993    
IPC:
G01J 5/00 (2006.01), G01J 5/04 (2006.01), G01J 5/08 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: MATERIALS RESEARCH CORPORATION [US/US]; Route 303, Orangeburg, NY 10962 (US)
Inventors: ISHIKAWA, Hiroichi; (US).
KOLESA, Michael, Steven; (US)
Agent: FREI, Donald, F.; Wood, Herron & Evans, 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US).
LLOYD WISE, TREGEAR & CO.; Norman House, 105-109 Strand, London WC2R 0AE (GB)
Priority Data:
07/869,241 15.04.1992 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR WAFER TEMPERATURE DETERMINATION BY OPTICAL MEASUREMENT OF WAFER EXPANSION IN PROCESSING APPARATUS CHAMBER
(FR) DETERMINATION DE LA TEMPERATURE DE TRANCHES DE SEMICONDUCTEUR PAR MESURE OPTIQUE DE LA DILATATION DES TRANCHES DANS LA CHAMBRE DU DIPOSITIF DE TRAITEMENT
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus are provided for measuring the temperature of articles such as semiconductor wafers (14) in a sealed chamber (12) of a processing apparatus such as a batch preheating module (10) of a semiconductor wafer processing cluster tool. Wafers (14) of generally known nominal diameter and coefficient of thermal expansion are placed at a known initial temperature into a processing chamber (12) which is then sealed. A pair of beams (40) of parallel light are passed by opposite edges of the wafer and the uninterrupted light from both beams are detected (48) and summed (60). When the wafer is heated in processing, ligth from the beams (40) is measured again. Expansion of the wafers (14) changes the amount of uninterrupted light detected, and the changed amount of light is measured. From the measurement, the initial temperature, the nominal diameter and the known coefficient of expansion, processing temperature is calculated.
(FR)L'invention décrit un procédé et un dispositif servant à mesurer la température d'articles, tels que des tranches de semiconducteur (14) dans une chambre scellée (12) d'un dispositif de traitement, tel qu'un module de pré-réchauffement en série (10) d'un groupe de traitement de tranches de semiconducteur. On place les tranches (14), présentant un diamètre nominal et un coefficient de dilation thermique généralement connus, à une température initiale connue, dans une chambre de traitement (12) qui est ensuite scellée. On fait circuler une paire de faisceaux (40) de lumière parallèle par les bords opposés de la tranche, puis on détecte (48) et on additionne (60) la lumière ininterrompue des deux faisceaux. Quand la tranche est réchauffée pendant le traitement, on mesure à nouveau la lumière des faisceaux (40). La dilatation des tranches (14) modifie la quantité de la lumière ininterrompue détectée et on mesure la quantité de lumière modifiée. A partir de cette mesure, de la température initiale, du diamètre nominal et du coefficient de dilatation connu, on calcule la température de traitement.
Designated States: AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA, VN.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)