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1. (WO1993021646) COMPACT ELECTRON GUN COMPRISING A MICRO-POINT ELECTRON SOURCE, AND SEMICONDUCTOR LASER USING SAID GUN FOR ELECTRON PUMPING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1993/021646    International Application No.:    PCT/FR1993/000353
Publication Date: 28.10.1993 International Filing Date: 08.04.1993
IPC:
H01J 1/304 (2006.01), H01S 5/04 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération, F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
MOLVA, Engin [FR/FR]; (FR) (For US Only).
ACCOMO, Roger [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: MOLVA, Engin; (FR).
ACCOMO, Roger; (FR)
Agent: BREVATOME; 25, rue de Ponthieu, F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
92/04430 10.04.1992 FR
Title (EN) COMPACT ELECTRON GUN COMPRISING A MICRO-POINT ELECTRON SOURCE, AND SEMICONDUCTOR LASER USING SAID GUN FOR ELECTRON PUMPING
(FR) CANON A ELECTRONS COMPACT COMPORTANT UNE SOURCE D'ELECTRONS A MICROPOINTES ET LASER A SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE CANON POUR LE POMPAGE ELECTRONIQUE
Abstract: front page image
(EN)An electron gun comprising a source (2) with electron-emitting micro-points, an anode (8) spaced apart from the micro-points, a device (16) for applying a high voltage to the anode, and a set (10) of electrodes distributed around the beam from the source to strip focus the beam onto the anode, and acting as an electrostatic shield for shielding the source from the high voltage, said set of electrodes being arranged between the source and the anode and comprising two or more different-sized pairs of electrodes (18a, 18b, 20a, 20b) at positive and negative voltages respectively, their value being such that a weak electrostatic field is generated between the source and the set of electrodes while a strong electrostatic field is generated between the set of electrodes and the anode. The gun further comprises a device for applying medium voltage to the set of electrodes, and a device for applying a suitable voltage to the micro-points.
(FR)Le canon de l'invention comporte une source (2) à micropointes émettrices d'électrons, une anode (8) distante des micropointes, des moyens (16) pour appliquer une haute tension sur l'anode, un ensemble (10) d'électrodes réparties autour du faisceau émis par la source pour le focaliser en ruban sur l'anode et servir d'écran électrostatique à la source contre la haute tension, cet ensemble disposé entre la source et l'anode comportant au moins deux paires d'électrodes (18a, 18b, 20a, 20b) de dimensions distinctes et portées à des tensions respectivement positive et négative, leur valeur étant telle qu'un champ électrostatique faible est créé entre la source et l'ensemble d'électrodes et qu'un champ électrostatique fort est créé entre l'ensemble d'électrodes et l'anode, des moyens pour appliquer une tension moyenne sur l'ensemble d'électrodes et des moyens pour appliquer une tension appropriée sur les micropointes.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)