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1. (WO1993021637) MULTILAYER ELECTRODES FOR FERROELECTRIC DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1993/021637    International Application No.:    PCT/US1993/003355
Publication Date: 28.10.1993 International Filing Date: 09.04.1993
Chapter 2 Demand Filed:    09.11.1993    
IPC:
G11C 11/22 (2006.01), H01L 41/22 (2006.01)
Applicants: CERAM, INC. [US/US]; 2260 Executive Circle, Colorado Springs, CO 80906 (US).
SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka 545 (JP).
VIRGINIA POLYTECHNIC INSTITUTE AND STATE UNIVERSITY [US/US]; Blacksburg, VA 24061 (US)
Inventors: DESU, Seshu, B.; (US).
YOO, In, K.; (US).
KWOK, Chi, K.; (US).
VIJAY, Dilip, P.; (US)
Agent: BEATON, Glenn, K.; Beaton & Swanson, Suite 403, 4582 S. Ulster Street Parkway, Denver, CO 80237 (US)
Priority Data:
07/868,045 13.04.1992 US
Title (EN) MULTILAYER ELECTRODES FOR FERROELECTRIC DEVICES
(FR) ELECTRODES MULTICOUCHES POUR APPAREILS FERROELECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)A ferroelectric device is constructed using a bottom electrode (11) composed of a conducting oxide such as RuO¿x? on a substrate (10) such as silicon or silicon dioxide. A ferroelectric material such as lead zirconate titanate (PZT) (13) is deposited on the bottom electrode, and a conducting interlayer (12) is formed at the interface between the ferroelectric and the electrode. This interlayer is created by reaction between the materials of the ferroelectric and electrode, and in this case would be Pb¿2?RU¿2?O¿7-x?. A conductive top layer may be a metal (14) is deposited over the ferroelectric. This layer may be a metal, or it may be the same type of materials as the bottom electrode, in which case another interlayer (15) can be formed at the interface. A device constructed in this manner has the property of lower degradation due to the fatigue, breakdown, and aging.
(FR)Un appareil ferroélectrique est réalisé à l'aide d'un électrode de fond (11) composée d'un oxyde conducteur comme le RuO¿x? appliqué sur un substrat (10) en silicium ou en silice. Une matière ferroélectrique comme le titanate de zirconate de plomb (TZP) (13) est déposée sur l'électrode de fond, et une couche intermédiaire conductrice (12) est formée à l'interface située entre la matière ferroélectrique et l'électrode. Cette couche intermédiaire est issue de la réaction opérée entre les matières du ferroélectrique et de l'électrode. Dans ce cas précis, ce serait du Pb¿2?RU¿2?O¿7-x?. Une couche supérieure conductrice (14) est déposée sur le ferroélectrique. Cette couche peut être en métal ou bien dans la même genre de matériaux que ceux qui constituent l'électrode de fond, auquel cas une autre couche intermédiaire (15) peut être formée à l'interface. Un dispositif réalisé selon ce procédé présente l'avantage de mieux résister aux effets dus à la fatigue, aux pannes et au vieillissement.
Designated States: European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)