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1. (WO1993020482) METHOD FOR FORMING A LITHOGRAPHIC PATTERN IN A PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1993/020482    International Application No.:    PCT/US1993/003126
Publication Date: 14.10.1993 International Filing Date: 29.03.1993
Chapter 2 Demand Filed:    01.11.1993    
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: MICROUNITY SYSTEMS ENGINEERING, INC. [US/US]; 225 Caspian Drive, Suite 410, Sunnyvale, CA 94089-1015 (US)
Inventors: CHEN, Jang, Fung; (US).
MATTHEWS, James, A.; (US)
Agent: BEREZNAK, Bradley, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th Floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
07/863,791 06.04.1992 US
Title (EN) METHOD FOR FORMING A LITHOGRAPHIC PATTERN IN A PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN MOTIF PAR GRAVURE DANS UN PROCESSUS DE FABRICATION DE COMPOSANTS A SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A method of printing a sub-resolution device feature (16) having first and second edges spaced in close proximity to one another on a semiconductor substrate (20) includes the steps of first depositing a radiation-sensitive material on the substrate, then providing a first mask image segment (11) which corresponds to the first edge. The first mask image segment is then exposed with radiation (10) using an imaging tool (12) to produce a first pattern edge gradient (14). The first pattern edge gradient defines the first edge of the feature in the material. A second mask image segment (13) is then provided corresponding to the second feature edge. This second mask image segment is exposed to radiation (10) to produce a second pattern edge gradient (17) which defines the second edge of the feature. Once the radiation-sensitive material has been developed, the two-dimensional feature is reproduced on the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé d'impression des détails (16) d'un composant à une échelle inférieure à la résolution d'un outil de gravure. Le détail présente un premier et un second côtés proches l'un de l'autre sur un substrat semiconducteur (20). Ledit procédé consiste à d'abord déposer sur le substrat un matériau sensible aux rayonnements, et à utiliser un premier segment de masque (11) de formation d'image correspondant au premier côté. Ledit premier segment de masque est ensuite exposé à des rayonnements (10) émis par un outil de gravure par projection (12) afin de produire un premier contour (14) du motif. Le premier contour du motif constitue le premier côté du détail dans le matériau. Un second segment (13) de masque de formation d'image correspondant au second côté est ensuite produit. Ce second segment de masque est exposé aux rayonnements (10) afin de produire un second contour (17) du motif qui définit le second côté. Le détail bidimensionnel gravé sur le substrat apparaît après développement du matériau sensible aux rayonnements.
Designated States: AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, GE, HU, JP, KP, KR, KZ, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA, VN.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)