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1. (WO1993020265) PROCESS FOR REDUCING THE DAMAGE SUSCEPTIBILITY OF OPTICAL QUALITY CRYSTALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1993/020265    International Application No.:    PCT/US1993/002780
Publication Date: 14.10.1993 International Filing Date: 25.03.1993
Chapter 2 Demand Filed:    29.09.1993    
IPC:
C30B 33/00 (2006.01)
Applicants: E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street, Wilmington, DE 19898 (US)
Inventors: MORRIS, Patricia, A.; (US)
Agent: HEISER, David, E.; E.I. du Pont de Nemours and Company, Legal/Patent Records Center, 1007 Market Street, Wilmington, DE 19898 (US)
Priority Data:
07/860,862 31.03.1992 US
Title (EN) PROCESS FOR REDUCING THE DAMAGE SUSCEPTIBILITY OF OPTICAL QUALITY CRYSTALS
(FR) PROCEDE D'ATTENUATION DE LA FRAGILITE DES CRISTAUX DE QUALITE OPTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A process is disclosed for treating a crystal of MTiOXO¿4? which has crystal structure deficiencies of M and O, wherein M is selected from the group consisting of K, Rb, Tl and NH¿4? and mixtures thereof and X is selected from the group consisting of P, As and mixtures thereof, which includes the step of heating said crystal in the presence of a mixture of MTIOXO¿4? and at least one inorganic compound of one or more monovalent cations selected from the group consisting of Rb+, K+, Cs+ and Tl+ (said inorganic compound(s) being selected to provide a source of vapor phase monovalent cation and being present in an amount sufficient to provide at least a 0.1 mole % excess of the monovalent cation in relation to the M in the MTiOXO¿4? in said mixture) at a temperature of from about 400 °C to 950 °C and a pressure of at least 14 psi, and in the presence of a gaseous source of oxygen for a time sufficient to decrease the optical damage susceptibility of said crystal.
(FR)Procédé de traitement d'un cristal de MTiOXO¿4?, présentant des déficiences dans sa structure en M et O, où M est choisi dans le groupe constitué par K, Rb, Tl et NH¿4? et des mélanges de ces éléments, et X est choisi dans le groupe constitué par P, As et des mélanges de ces éléments. Ce procédé comporte l'étape de chauffage dudit cristal en présence d'un mélange de MTiOXO¿4? et d'au moins un composé inorganique d'un ou plusieurs cations monovalents choisis le groupe constitué par Rb+, K+, Cs+ et Tl+ (lesdits composés inorganiques étant choisis de manière à fournir une source de cations monovalents en phase vapeur et à être présents dans une quantité suffisante pour fournir au moins 0,1 % de moles en plus de cations monovalents par rapport à M dans MTiOXO¿4? présent dans ledit mélange) à une température comprise entre environ 400 °C et 950 °C et sous une pression d'au moins 14 livres par pouce carré, en présence d'une source gazeuse d'oxygène pendant un temps suffisant pour atténuer la fragilie optique dudit cristal.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)