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1. (WO1992012575) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/012575    International Application No.:    PCT/JP1992/000019
Publication Date: 23.07.1992 International Filing Date: 13.01.1992
Chapter 2 Demand Filed:    05.08.1992    
IPC:
G06N 3/063 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H03F 3/50 (2006.01), H03K 17/00 (2006.01), H03K 17/16 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Applicants: SHIBATA, Tadashi [JP/JP]; (JP).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIBATA, Tadashi; (JP).
OHMI, Tadahiro; (JP)
Agent: FUKUMORI, Hisao; 12, Honshio-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Priority Data:
3/13780 12.01.1991 JP
3/188147 02.07.1991 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor source follower circuit having almost zero steady-state consumption power and capable of operating at a high speed and further, accompanied by no reduction in its voltage gain at all. This semiconductor device comprising plural n-channel and p-channel MOS transistors. The sources of a first n-channel MOS transistor and a first p-channel MOS transistor are connected to each other, and the gates of them are connected to each other. The drain electrode potential of the first n-channel MOS transistor is higher than that of the first p-channel MOS transistor.
(FR)Circuit de poursuite de source à semi-conducteurs, présentant une énergie consommée en régime permanent pratiquement nulle et pouvant fonctionner à vitesse élevée et de plus, sans aucune réduction de son gain de tension. Ce dispositif à semi-conducteurs comporte plusieurs transistors MOS à canal N et à canal P. Les sources d'un premier transistor MOS à canal N et d'un premier transistor MOS à canal P sont reliées l'une à l'autre, et leurs grilles sont reliées l'une à l'autre. Le potentiel d'électrode de drain du premier transistor MOS à canal N est supérieur à celui du premier transistor MOS à canal P.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)