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1. (WO1992012548) HIGH-FREQUENCY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/012548    International Application No.:    PCT/JP1991/001761
Publication Date: 23.07.1992 International Filing Date: 25.12.1991
IPC:
H01P 1/203 (2006.01), H01P 1/205 (2006.01), H01P 3/08 (2006.01), H01P 7/04 (2006.01), H01P 7/08 (2006.01), H03B 5/18 (2006.01), H05K 1/00 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01)
Applicants: TDK CORPORATION [JP/JP]; 13-1, Nihonbashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 103 (JP) (For All Designated States Except US).
HAYASHI, Katuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HAYASHI, Katuhiko; (JP)
Agent: YAMAMOTO, Keiichi; Tamba Building, 5-12, Nishi-shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Priority Data:
2/414388 26.12.1990 JP
3/31888 31.01.1991 JP
3/294446 11.11.1991 JP
3/304348 20.11.1991 JP
3/317892 02.12.1991 JP
Title (EN) HIGH-FREQUENCY DEVICE
(FR) DISPOSITIF POUR RADIOFREQUENCE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to high-frequency devices including a high-frequency transmission line, high-frequency filter, and resonator, and a main object is to compact the high-frequency device without decreasing ''Q'' of the device. To achieve the object, the high-frequency device of the present invention is constituted by putting the internal conductor (5) used for resonators and so on between the high dielectric layers (2 and 3) (made of a material with a high dielectric constant), putting the layers (2 and 3) between low dielectric layers (1 and 4) (made of a material with a low dielectric constant), and further putting the layers (1 and 4) between GND electrodes (6 and 7).
(FR)L'invention concerne des dispositifs pour radiofréquence comprenant une ligne d'émission de radiofréquence, un filtre radiofréquence et un résonateur. Le principal objectif de l'invention est d'obtenir un dispositif pour radiofréquence compacte, sans pour cela réduire le facteur de qualité dudit dispositif. Pour parvenir à cet objectif, le dispositif pour radiofréquence selon la présente invention est constitué de la façon suivante: le conducteur interne (5) utilisé pour les résonateurs et d'autres éléments est placé entre les couches hautement diélectriques (2 et 3) constituées d'une matière à constante diélectrique élevée, les couches (2 et 3) sont placées entre des couches faiblement diélectriques (1 et 4) constituées d'une matière à constante diélectrique basse, et enfin les couches (1 et 4) sont placées entre des électrodes de mise à la terre (6 et 7).
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)