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1. (WO1992012518) STORAGE CELL ARRANGEMENT AND PROCESS FOR OPERATING IT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/012518    International Application No.:    PCT/DE1991/000957
Publication Date: 23.07.1992 International Filing Date: 10.12.1991
Chapter 2 Demand Filed:    03.06.1992    
IPC:
G11C 11/22 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
KRAUTSCHNEIDER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WERSING, Wolfram [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KRAUTSCHNEIDER, Wolfgang; (DE).
WERSING, Wolfram; (DE)
Agent: SIEMENS AG; Postfach 221634, D-8000 München 22 (DE)
Priority Data:
P 41 00 465.5 09.01.1991 DE
Title (DE) SPEICHERZELLENANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN BETRIEB
(EN) STORAGE CELL ARRANGEMENT AND PROCESS FOR OPERATING IT
(FR) SYSTEME DE CELLULES DE MEMOIRE ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT
Abstract: front page image
(DE)In der Speicherzellenanordnung besteht jede Speicherzelle aus einem Feldeffekttransistor mit einem Gatedielektrikum (14), das mindestens eine ferroelektrische Schicht (142) enthält. Abhängig von dem Vorzeichen der remanenten Polarisation der ferroelektrischen Schicht (142) weist der Feldeffekttransistor zwei unterschiedliche Schwellenspannungen auf, die dasselbe Vorzeichen haben und die den logischen Zuständen '0' und '1' zugeordnet werden. Einschreiben von Information erfolgt durch Umpolarisation der ferroelektrischen Schicht (142). Lesen von Informationen erfolgt durch Anlegen einer Spannung an die Gateelektrode des Feldeffekttransistors, wobei die Spannung zwischen den beiden Schwellenspannungen liegt.
(EN)In the storage cell arangement each storage cell consists of a field effect transistor with a gate dielectric (14) having at least one ferroelectric layer (142). Depending on the sign of the remanent polarisation of the ferroelectric layer (142), the field effect transistor has two different threshold voltages having the same sign and related to the logic states '0' and '1'. Information is written in by the repolarisation of the ferroelectric layer (142). Information is read out by the application of a voltage to the gate electrode of the field effect transistor, the voltage lying between the two threshold voltages.
(FR)Dans le système de cellules de mémoire, chaque cellule de mémoire se compose d'un transistor à effet de champ avec un diélectrique de grille (14) qui contient au moins une couche ferroélectrique (142). En fonction du signe de la polarisation rémanente de la couche ferroélectrique (142), le transistor à effet de champ présente deux tensions de seuil différentes qui ont le même signe et qui correspondent aux états logiques '0' et '1'. L'inscription des informations s'effectue par repolarisation de la couche ferroélectrique (142). La lecture des informations s'effectue par application d'une tension au niveau de l'électrode de grille du transistor à effet de champ, la tension étant située entre les deux tensions de seuil.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)