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1. (WO1992012466) METHOD OF FORMING MINUTE RESIST PATTERN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/012466    International Application No.:    PCT/JP1991/001766
Publication Date: 23.07.1992 International Filing Date: 26.12.1991
IPC:
G03F 1/54 (2012.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/30 (2006.01)
Applicants: JAPAN SYNTHETIC RUBBER CO., LTD. [JP/JP]; 11-24, Tsukiji 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 104 (JP) (For All Designated States Except US).
HIRASAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Minako [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUKI, Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIRASAWA, Hiroyuki; (JP).
KOBAYASHI, Minako; (JP).
MATSUKI, Yasuo; (JP)
Agent: OHSHIMA, Masataka; Ohshima Patent Office, Samoncho Pacific Bldg., 13, Samoncho, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Priority Data:
2/415204 27.12.1990 JP
Title (EN) METHOD OF FORMING MINUTE RESIST PATTERN
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN MOTIF MINUSCULE DE RESIST
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a resist pattern comprising the steps of: (1) forming a thick film of positive type photo resist on the substrate; (2) forming a light shielding film directly on the surface of the film of said positive type photo resist; (3) drawing a pattern on said light shielding film; (4) exposing the thick film of said positive type photo resist to light; and (5) developing the exposed film of said positive type photo resist for obtaining a resist pattern. This method enables a minute resist pattern of the thick film exactly and advantageously.
(FR)Procédé de formation d'un motif de résist comprenant les étapes suivantes: (1) formation d'un film épais d'un photorésist du type positif sur le substrat; (2) formation d'un film de protection contre la lumière directement sur la surface du film de photorésist du type positif; (3) dessin d'un motif sur ledit film de protection contre la lumière; (4) exposition du film épais de photorésist du type positif à la lumière; et (5) développement du film exposé de photorésist du type positif pour obtenir un motif de résist. Ce procédé permet d'obtenir un motif minuscule en film épais de photorésist, avec précision et de façon avantageuse.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (DE, FR, GB).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)