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1. (WO1992012278) METHOD TO ELECTROCHEMICALLY DEPOSIT COMPOUND SEMICONDUCTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/012278    International Application No.:    PCT/US1991/002547
Publication Date: 23.07.1992 International Filing Date: 12.04.1991
Chapter 2 Demand Filed:    08.06.1992    
IPC:
H01L 21/36 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF GEORGIA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; Boyd Graduate Studies Research Center, Athens, GA 30602 (US)
Inventors: STICKENY, John, Lewellen; (US).
VILLEGAS, Ignacio; (US)
Agent: DEVEAU, Todd; Hurt, Richardson, Garner, Todd & Cadenhead, 999 Peachtree St., N.E., Suite 1400, Atlanta, GA 30309-3999 (US)
Priority Data:
640,597 11.01.1991 US
Title (EN) METHOD TO ELECTROCHEMICALLY DEPOSIT COMPOUND SEMICONDUCTORS
(FR) PROCEDE DE DEPOSITION ELECTROCHIMIQUE DE SEMI-CONDUCTEURS COMPOSITES
Abstract: front page image
(EN)A method to electrochemically deposit semiconductors and for the electrochemical formation of epitaxial thin-film, single-crystalline compound semiconductors comprising alternating electrodeposition of atomic layers of selected pairs of elements using underpotential deposition and compound semiconductors produced thereby.
(FR)Procédé concernant la déposition électrochimique de semi-conducteurs et la formation électrochimique de semi-conducteurs composites monocristallins à film mince épitaxial, comprenant l'électrodéposition alternée de couches atomiques de paires d'éléments prédéterminées selon le procédé de déposition à potentiel inférieur. Cette invention concerne également les semi-conducteurs composites fabriqués de cette manière.
Designated States: CA, JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)