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1. (WO1992011113) DIRECT BONDING OF COPPER TO ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/011113    International Application No.:    PCT/US1991/009611
Publication Date: 09.07.1992 International Filing Date: 20.12.1991
IPC:
C04B 37/02 (2006.01), C04B 41/00 (2006.01), C04B 41/80 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01), H05K 3/02 (2006.01), H05K 3/38 (2006.01)
Applicants: GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road, Schenectady, NY 12345 (US)
Inventors: PAIK, Kyung, Wook; (US).
NEUGEBAUER, Constantine, Alois; (US)
Agent: VANDENBURGH, Howard, F.; General Electric Company, International Patent Operation, 1285 Boston Avenue, Bldg. 23CW, Bridgeport, CT 06602 (US)
Priority Data:
632,876 24.12.1990 US
Title (EN) DIRECT BONDING OF COPPER TO ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATES
(FR) LIAISON DIRECTE DE CUIVRE A DES SUBSTRATS EN NITRURE D'ALUMINIUM
Abstract: front page image
(EN)A process for direct bonding a copper film to an yttria-doped aluminum nitride substrate comprises treating the substrate by preoxidation at elevated temperature to create an overlying thin film of Al¿2?O¿3?, followed by step cooling to a lower temperature. A copper foil of thickness between 1.0 and 4.0 microns and generally perforated or otherwise foraminous, is eutectically direct bonded to the substrate by the known direct bond copper (DBC) process. The resultant article exhibits high thermal conductivity, low permittivity and high mechanical strength. The peel strength of the copper film on the AlN substrate exceeds the peel strengths previously attainable in the industry.
(FR)Un procédé de liaison directe d'une couche mince de cuivre sur un substrat en nitrure d'aluminium dopé à l'yttria consiste à traiter le substrat par préoxydation à température élevée afin de créer une couche mince de couverture en Al¿2?O¿3?, puis à procédér à un refroidissement à une température inférieure. Une feuille de cuivre d'une épaisseur comprise entre 1,0 et 4,0 microns et généralement perforée ou autrement poreuse est liée de manière eutectique directement sur le substrat selon le procédé connu mettant en ÷uvre du cuivre à liaison directe (DBC). L'article obtenu présente une conductivité thermique élevée, une faible permittivité et une résistance mécanique élevée. La résistance à l'écaillage de la couche mince de cuivre sur le substrat en nitrure d'aluminium dépasse les résistances à l'écaillage obtenues auparavant dans l'industrie.
Designated States: CA, JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)