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1. (WO1992010854) IMAGE DEVICE WITH PHOTODIODE HAVING REAL TIME READOUT PROPERTY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1992/010854 International Application No.: PCT/US1991/009053
Publication Date: 25.06.1992 International Filing Date: 06.12.1991
IPC:
H01L 27/148 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144
Devices controlled by radiation
146
Imager structures
148
Charge coupled imagers
Applicants:
EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street Rochester, NY 14650, US
Inventors:
GABOURY, Michael, Joseph; US
LEE, Teh-Hsuang; US
STEVENS, Eric, Gordon; US
Agent:
DUGAS, Edward; 343 State Street Rochester, NY 14650-2201, US
Priority Data:
626,15512.12.1990US
Title (EN) IMAGE DEVICE WITH PHOTODIODE HAVING REAL TIME READOUT PROPERTY
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR D'IMAGE A PHOTODIODE A AFFICHAGE EN TEMPS REEL
Abstract:
(EN) In a solid state image sensor, such as a CCD image sensor having lateral antiblooming protection, the level of which is controlled by an overflow gate voltage forming a barrier, the storage of electrons in the photodiode junction region of the sensor is eliminated by removing the barrier and allowing the charge to flow from the sensor's photodiode junctions into the overflow region. The charge flow is then detected as a function of the instantaneous light impinging on the photodiodes. The physical connections of the overflow gates are selected to form zones. Since the charge flow now represents the instantaneous light intensity, higher frequency components are detected than that limited by the sensor sampling rate. An amplifier is connected to sense the charge flow from each zone. With the range of light intensity being large the amplifier is provided with a logarithmic feed back element. This element provides compression of a signal representing the sensed charge flow.
(FR) Dans un capteur d'image à semiconducteur tel qu'un capteur d'image à couplage de charge doté d'une protection anti-flou latérale, dont le niveau est commandé par une tension de grille de surintensité formant une barrière, le stockage d'électrons dans la région de jonction des photodiodes du capteur est éliminé par suppression de la barrière et par le fait qu'on laisse la charge passer des jonctions des photodiodes du capteur jusque dans la région de surintensité. Le passage de la charge est ensuite détectée en fonction de la lumière instantanée incidente sur les photodiodes. Les connexions physiques des grilles de surintensité sont sélectionnées pour former des zones. Comme le passage de la charge représente alors l'intensité de lumière instantanée, il est possible de détecter des composantes de fréquence supérieure à celles limitées par la cadence d'échantillonnage du capteur. Un amplificateur est connecté afin de détecter le passage de la charge à partir de chaque zone. Comme la plage d'intensité de lumière est grande l'amplificateur est doté d'un élément de retour logarithmique. Cet élément permet la compression d'un signal représentant le passage de la charge détectée.
Designated States: JP
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP0515663