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1. (WO1992004752) RELIABLE AlInGaAs/AlGaAs STRAINED-LAYER DIODE LASERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/004752    International Application No.:    PCT/US1991/006507
Publication Date: 19.03.1992 International Filing Date: 06.09.1991
Chapter 2 Demand Filed:    07.04.1992    
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachussets Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventors: WANG, Christine, A.; (US).
WALPOLE, James, N.; (US).
CHOI, Hong, K.; (US).
DONNELLY, Joseph, P.; (US)
Agent: PASTERNACK, Sam; Choate, Hall & Stewart, Exchange Place, 53 State Street, Boston, MA 02109 (US)
Priority Data:
579,347 07.09.1990 US
Title (EN) RELIABLE AlInGaAs/AlGaAs STRAINED-LAYER DIODE LASERS
(FR) LASERS A DIODE A COUCHE CONTRAINTE FIABLE EN AlInGaAs/AlGaAs
Abstract: front page image
(EN)A strained quantum-well diode laser (30) with an AlInGaAs active layer (32) and AlGaAs cladding and/or confining layers (34) on a GaAs substrate (37) is provided. AlInGaAs/AlGaAs lasers can be configured in laser geometries including ridge, waveguide, buried heterostructure, oxide-defined, proton-defined, narrow-stripe, broad-stripe, coupled-stripe and linear arrays using any epitaxial growth technique. Broad-stripe devices were fabricated in graded-index separate confinement heterostructures, grown by organometallic vapor phase epitaxy on GaAs substrates, containing a single Al y In x Ga 1-x-y As quantum well with x between 0.14 and 0.12 and y between 0.05 and 0.17. With increasing Al content, emission wavelengths from 890 to 785 nm were obtained. Threshold current densities, J th's, less than 200 A cm?-2¿ and differential quantum efficiencies in the range 71 to 88 percent were observed.
(FR)L'invention concerne un laser à diode (30) de puits quantique contraint avec une couche active (32) en AlInGaAs et des couches de revêtement (34) et/ou confinement en AlGaAs sur un substrat en GaAs (37). Des lasers en AlInGaAs/AlGaAs peuvent avoir des configurations géométriques de laser qui comprennent des réseaux linéaires à rayures couplées, à rayures étroites, à rayures larges, à définition oxyde, à définition protonique, à hétérostructure noyée, de guide d'onde, d'arête utilisant une technique de croissance épitaxiale quelconque. Des dispositifs à raies larges ont été fabriqués dans des hétérostructures de confinement séparées d'indice gradué, dévelopées par épitaxie en phase vapeur organométallique sur des substrats en GaAs contenant un seul puits quantique Al y In x Ga 1-x-y As, x étant compris entre 0,14 et 0,12 et y étant compris entre 0,05 et 0,17. En augmentant la teneur en Al, des longueurs d'onde d'émission de 890 à 785 nm ont été obtenues. Des densités de courant de seuil J th's, inférieures à 200 A cm?-2¿ et des rendements quantiques différentiels de l'ordre de 71 à 88 % ont été relevés.
Designated States: CA, JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)