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1. (WO1992003589) METHOD OF IMPROVING ION FLUX DISTRIBUTION UNIFORMITY ON A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/003589    International Application No.:    PCT/US1991/006061
Publication Date: 05.03.1992 International Filing Date: 23.08.1991
Chapter 2 Demand Filed:    13.03.1992    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/54 (2006.01)
Applicants: MATERIALS RESEARCH CORPORATION [US/US]; Route 303, Orangeburg, NY 10962 (US)
Inventors: HURWITT, Steven, D.; (US).
WAGNER, Isreal; (US).
HIERONYMI, Robert; (US)
Agent: JORDAN, Joseph, R.; Wood, Herron & Evans, 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US).
LLOYD WISE, TREGEAR & CO.; Norman House, 105-109 Strand, London WC2R OAE (GB)
Priority Data:
572,850 24.08.1990 US
Title (EN) METHOD OF IMPROVING ION FLUX DISTRIBUTION UNIFORMITY ON A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE D'AMELIORATION DE L'UNIFORMITE DE REPARTITION DU FLUX IONIQUE SUR UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)A bias sputter coating apparatus is provided with a cathode target assembly (30) having a central electrode (70) which is maintainable at an adjustable voltage level which is negative with respect to the chamber anode but positive with respect to the cathode voltage and the bias voltage on the substrate. The apparatus is used to manufacture sputter coated article such as semiconductor wafers (21). The method provides that the voltage on the central electrode is adjusted to a level which improves the ion flux distribution uniformity on the substrate. The electrode voltage is generally optimized in the range of from -8 volts to -20 volts.
(FR)Appareil de revêtement à pulvérisation et à polarisation doté d'un ensemble cathode cible (30) comportant une électrode centrale (70) qui peut se maintenir à un niveau de tension réglable négatif par rapport à l'anode de la chambre, mais positif par rapport à la tension de la cathode et à la tension de polarisation sur le substrat. Ledit appareil est utilisé pour fabriquer des articles à revêtement par pulvérisation tels que des plaquettes en semiconducteur (21). Selon ledit procédé, la tension de l'électrode centrale est réglée à un niveau qui améliore l'uniformité de répartition du flux ionique sur le substrat. La tension de l'électrode est en générale optimale lorsqu'elle se situe entre -8 volts et -20 volts.
Designated States: AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CS, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MC, MG, MN, MW, NL, NO, PL, RO, SD, SE, SU.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)