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1. (WO1992001092) EPITAXIAL SYNTHESIS OF DIAMOND CRYSTALS AT HIGH GROWTH RATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/001092    International Application No.:    PCT/US1991/004719
Publication Date: 23.01.1992 International Filing Date: 02.07.1991
IPC:
C30B 25/10 (2006.01)
Applicants: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by THE SECRETARY OF THE DEPARTMENT OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375-5000 (US)
Inventors: SNAIL, Keith, A.; (US).
HANSSEN, Leonard, M.; (US).
BUTLER, James, E.; (US)
Agent: McDONNELL, Thomas, E.; Associate Counsel (Patents), Code 3008.2, Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue, S.W., Washington, DC 20375-5325 (US)
Priority Data:
548,719 06.07.1990 US
Title (EN) EPITAXIAL SYNTHESIS OF DIAMOND CRYSTALS AT HIGH GROWTH RATES
(FR) SYNTHESE EPITAXIALE DE CRISTAUX DE DIAMANT A DES TAUX DE CROISSANCE ELEVES
Abstract: front page image
(EN)Large diamond crystals (i.e. greater than 100 microns) are grown at low pressure by placing a clean substrate in a high atomic hydrogen flux atmosphere that allows a growing diamond surface to remain hydrogen terminated. This atmosphere can be provided by heating the substrate in the feather portion of a flame created by the combustion of a mixture of oxygen and acetylene. The size of the crystals and the rate of formation of those crystals are comparable to those obtained by HPHT processes.
(FR)On fait croître de gros cristaux de diamant (c'est-à-dire supérieurs à 100 microns) à basse pression en plaçant un substrat propre dans une atmosphère à flux d'hydrogène atomique dense qui permet à une surface de diamant cultivé de garder la terminaison hydrogène. Ladite atmosphère peut être obtenue en chauffant le substrat dans la partie en pointe d'une flamme créée par la combustion d'un mélange d'oxygène et d'acétylène. La taille des cristaux et le taux de formation de ces cristaux sont comparables à ceux obtenus par les procédés à haute pression et à haute température.
Designated States: CA, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)