(EN) In a process for the crystallisation of amorphous silicon, gold is disposed in intimate contact with the amorphous silicon, and the silicon and the gold are annealed at a temperature of at least 400 °C. The amorphous silicon is preferably deposited on a substrate, with the gold disposed over the silicon or between the silicon and the substrate. The gold may be deposited as a matrix of dots.
(FR) Dans un procédé de cristallisation de silicium amorphe, de l'or est placé en contact intime avec le silicium amorphe, et le silicum et l'or sont recuits à une température d'au moins 400 °C. Le silicium amorphe est de préférence déposé sur un substrat, l'or étant placé sur le silicium ou entre le silicium et le substrat. L'or peut être déposé sous forme d'une matrice de points.