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1. (WO1992001084) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) PROCESS FOR PLASMA DEPOSITING SILICON CARBIDE FILMS ONTO A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/001084    International Application No.:    PCT/US1991/004657
Publication Date: 23.01.1992 International Filing Date: 01.07.1991
IPC:
C23C 16/32 (2006.01)
Applicants: OLIN CORPORATION [US/US]; 350 Knotter Drive, P.O. Box 586, Cheshire, CT 06410-0586 (US)
Inventors: BOEGLIN, Herman, J.; (US)
Agent: SIMONS, William, A.; Olin Corporation, 350 Knotter Drive, P.O. Box 586, Cheshire, CT 06410-0586 (US)
Priority Data:
553,918 13.07.1990 US
Title (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) PROCESS FOR PLASMA DEPOSITING SILICON CARBIDE FILMS ONTO A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE DEPOT EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE (CVD) PERMETTANT LE DEPOT AU PLASMA DE FILMS DE CARBURE DE SILICIUM SUR UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)A plasma CVD process for forming silicon carbide-type films onto a substrate comprising the steps of: a) introducing di-tert-butylsilane vapor into a CVD reaction zone containing said substrate on which a silicon carbide film is to be formed; b) maintaining the temperature of said zone and said substrate at about 100 °C to about 400 °C; c) maintaining the pressure in said zone at about 0.01 to about 10 torr; and d) passing said gas into contact with said substrate while exciting said gas with a plasma for a period of time sufficient to form a silicon carbide-type film thereon, wherein said plasma is excited by DC or RF power of about 10 to about 500 watts.
(FR)Procédé CVD au plasma permettant de former des films de type carbure de silicium sur un substrat, comprenant les étapes consistant: a) à introduire une vapeur de di-tert-butylsilane dans une zone de réaction CVD contenant ledit substrat sur lequel un film de carbure de silicium est à former; b) à maintenir la température de ladite zone et ledit substrat entre environ 100 °C et environ 400 °C; c) à maintenir la pression dans ladite zone entre environ 0,01 et environ 10 torr; et d) à faire passer ledit gaz en contact avec ledit substrat tout en excitant ledit gaz à l'aide d'un plasma pendant une durée suffisante pour former sur ledit substrat un film de type carbure de silicium, de manière que ledit plasma est excité par une puissance de courant continu ou haute fréquence comprise entre environ 10 et environ 500 watts.
Designated States: AU, BB, BG, BR, CA, FI, HU, JP, KP, KR, LK, MC, MG, MW, NO, PL, RO, SD, SU.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)