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1. (WO1992001083) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) PROCESS FOR THERMALLY DEPOSITING SILICONE CARBIDE FILMS ONTO A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/001083    International Application No.:    PCT/US1991/004656
Publication Date: 23.01.1992 International Filing Date: 01.07.1991
IPC:
C23C 16/32 (2006.01)
Applicants: OLIN CORPORATION [US/US]; 350 Knotter Drive, P.O. Box 586, Cheshire, CT 06410-0586 (US)
Inventors: BOEGLIN, Herman, J.; (US)
Agent: SIMONS, William, A.; Olin Corporation, 350 Knotter Drive, P.O. Box 586, Cheshire, CT 06410-0586 (US)
Priority Data:
533,919 13.07.1990 US
Title (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) PROCESS FOR THERMALLY DEPOSITING SILICONE CARBIDE FILMS ONTO A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE DEPOT EN PHASE VAPEUR PAR PROCEDE CHIMIQUE (CVD) PERMETTANT LE DEPOT THERMIQUE DE FILMS DE CARBURE DE SILICIUM SUR UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)A thermal CVD process for forming silicon carbide-type films onto a substrate comprising the steps of: (a) introducing di-tert-butylsilane vapor into a CVD reaction zone containing said substrate on which a silicon carbide film is to be formed; (b) maintaining the temperature of said zone and said substrate at about 400 °C to about 1,100 °C; (c) maintaining the pressure in said zone at about 0.1 to about 10 torr; and (d) passing said vapor into contact with said substrate for a period of time sufficient to form a silicon carbide-type film thereon.
(FR)Procédé CVD thermique permettant de former des films de type carbure de silicium sur un substrat, comprenant les étapes consistant: (a) à introduire une vapeur de di-tert-butylsilane dans une zone de réaction CVD contenant ledit substrat sur lequel le film de carbure de silicium est à former; (b) à maintenir la température de ladite zone et dudit substrat entre environ 400 °C et environ 1100 °C; (c) à maintenir la pression dans ladite zone entre environ 0,1 et environ 10 torr; et (d) à faire passer ladite vapeur en contact avec ledit substrat pendant une durée suffisante pour former sur ce dernier un film de type carbure de silicium.
Designated States: AU, BB, BG, BR, CA, FI, HU, JP, KP, KR, LK, MC, MG, MW, NO, PL, RO, SD, SU.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)