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1. (WO1992000602) PROCESS FOR STRUCTURING A SINGLE-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/000602    International Application No.:    PCT/DE1991/000432
Publication Date: 09.01.1992 International Filing Date: 24.05.1991
IPC:
H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
SCHWEIKHARDT, Joerg [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SCHWEIKHARDT, Joerg; (DE)
Priority Data:
P 40 20 724.2 29.06.1990 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINES EINKRISTALLINEN SILIZIUM-TRÄGERS
(EN) PROCESS FOR STRUCTURING A SINGLE-CRYSTAL SILICON SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE STRUCTURATION D'UN SUPPORT EN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Strukturierung eines einkristallinen Silizium-Trägers durch naßchemisches Ätzen mit einer anisotropen Ätzlösung vorgeschlagen. Dabei wird eine Maskierschicht auf den Silizium-Träger aufgebracht und mit Hilfe der Fotomaskierungstechnik strukturiert, wobei Öffnungen in der Maskierschicht entstehen, durch die die anisotrope Ätzlösung auf den Silizium-Träger einwirken kann. In dem Bereich des Silizium-Trägers, in dem eine Ausnehmung eingeätzt werden soll, wird eine strukturierte Öffnung in die Maskierschicht eingebracht. Diese besteht mindestens aus zwei, durch dünne in der Maskierschicht ausgebildete Stege getrennten Teilöffnungen. Durch Einätzen in die strukturierte Öffnung entsteht entsprechend jeder Teilöffnung eine Teilausnehmung im Silizium-Träger. Durch Fortsetzen des Ätzprozesses werden zunächst die in der Maskierschicht ausgebildeten dünnen Stege unterätzt, so daß sich die Teilausnehmungen zu einer Gesamtausnehmung vereinen. Im Anschluß daran wird die Grundfläche dieser Ausnehmung geebnet.
(EN)The proposal is for a process for structuring a single-crystal silicon substrate by wet-chemical etching with an anisotropic etching solution. Here, a masking coating is applied to the silicon substrate and structured by the photo-masking method whereby apertures are produced in the masking layer through which the anisotropic etching solution may act on the silicon substrate. A structured aperture in the masking layer is to be made in the region of the silicon substrate where a recess is to be etched. This consists of at least two partial apertures separated by thin pegs formed in the masking coating. A partial recess in the silicon substrate corresponding to each partial aperture is made by etching through the structured aperture. By continuing the etching process, the thin pegs formed in the masking layer are then undermined so that the partial recesses unite to form one total recess. The bottom of this recess is then smoothed.
(FR)On propose un procédé de structuration d'un support en silicium monocristallin par attaque chimique humide avec une solution d'attaque anisotrope. Une couche de masquage est appliquée sur le support en silicium et structurée par la technique du photomasquage. On forme ainsi, dans la couche de masquage, des ouvertures à travers lesquelles la solution d'attaque anisotrope peut agir sur le support en silicium. Dans la zone du support en silicium où l'on doit créer un évidement par attaque, on fait une ouverture structurée dans la couche de masquage. Cette ouverture se compose d'au moins deux ouvertures partielles séparées par de minces nervures formées dans la couche de masquage. L'attaque par l'intermédiaire de l'ouverture structurée produit dans le support en silicium un évidement partiel pour chaque ouverture partielle. Lorsqu'on poursuit l'attaque, les minces nervures formées dans la couche de masquage sont d'abord attaquées par en dessous, de sorte que les évidements partiels se rejoignent pour former un évidement global. Ensuite, le fond de cet évidement est aplani.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)