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1. (WO1992000406) UNIFORM DEPOSITION OF A THIN FILM ON A SURFACE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1992/000406    International Application No.:    PCT/AU1991/000262
Publication Date: 09.01.1992 International Filing Date: 20.06.1991
Chapter 2 Demand Filed:    29.01.1992    
IPC:
C23C 14/22 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Applicants: AUSTRALIAN AND OVERSEAS TELECOMMUNICATIONS CORPORATION LTD. [AU/AU]; 199 William Street, Melbourne, VIC 3000 (AU) (For All Designated States Except US).
PAIN, Geoffrey, Norman [AU/AU]; (AU) (For US Only)
Inventors: PAIN, Geoffrey, Norman; (AU)
Agent: WEBBER, David, Brian; Davies & Collison, 1 Little Collins Street, Melbourne, VIC 3000 (AU)
Priority Data:
PK 0879 29.06.1990 AU
Title (EN) UNIFORM DEPOSITION OF A THIN FILM ON A SURFACE
(FR) DEPOT UNIFORME D'UNE COUCHE MINCE SUR UNE SURFACE
Abstract: front page image
(EN)Method and apparatus for depositing a thin film (of materials such as metals, oxides, chalcogenides, pnictides, super-conductors, etc.) on a surface (116) (such as a semiconductor substrates) applicable to techniques (such as chemical vapor deposition, sputtering, and spraying pyrolysis) that provide the constituents of the thin film in gaseous or aerosol form. The method involves causing relative movement, at a constant rate, between the surface (116) and a thin film deposition zone (105) of a thin film deposition chamber (102) such that the surface (116) passes through the zone (105). The chamber (102) is configured such that deposition of film on the surface (116) in the zone (105) is uniform in a lateral direction across the surface (116). The lateral direction is perpendicular to the direction (118) of the relative movement.
(FR)Procédé et appareil destinés à déposer une couche mince (de matériaux tels que des métaux, des oxydes, des chalcogénures, des pnictures, des supraconducteurs, etc.) sur une surface (116) (telle qu'un substrat semi-conducteur), et applicables à des techniques (telles que le dépôt en phase gazeuse par procédé chimique, la vaporisation sous vide et la pyrolyse par pulvérisation) où les constituants de la couche mince sont présentés sous forme gazeuse ou en aérosol. Le procédé consiste à produire un déplacement relatif, à une vitesse constante, entre la surface (116) et une zone de dépôt de couche mince (105) dans une chambre de dépôt de couche mince (102) de sorte que la surface (116) passe à travers la zone (105). La chambre (102) présente une configuration telle que le dépôt de la couche sur la surface (116) dans la zone (105) est uniforme dans un sens latéral sur la surface (116). Le sens latéral est perpendiculaire au sens (118) de déplacement relatif.
Designated States: AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CS, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MC, MG, MW, NL, NO, PL, RO, SD, SE, SU, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)