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1. (WO1991018448) BiCMOS DIGITAL DRIVER CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1991/018448 International Application No.: PCT/US1991/003192
Publication Date: 28.11.1991 International Filing Date: 08.05.1991
Chapter 2 Demand Filed: 12.12.1991
IPC:
H03K 19/0944 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
19
Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
02
using specified components
08
using semiconductor devices
094
using field-effect transistors
0944
using MOSFET
Applicants:
SIARC [US/US]; 1485 Hamilton Avenue Palo Alto, CA 94301, US
Inventors:
EL GAMAL, Abbas; US
Agent:
OGONOWSKY, Brian, D. ; Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel 25 Metro Drive Suite 700 San Jose, CA 95110, US
Priority Data:
524,20715.05.1990US
Title (EN) BiCMOS DIGITAL DRIVER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE NUMERIQUE BiCMOS
Abstract:
(EN) In one embodiment of the invention, a CMOS device (32) inverts an input signal and provides this inverted input signal into the base of an NPN bipolar transistor (Q3) whose collector is coupled to a positive power supply voltage. The input signal coupled to the input of the CMOS device is also coupled to the gate of a large N-channel MOSFET (Q4) having its drain coupled to the emitter of the bipolar transistor and its source coupled to ground. The common node (36) of the bipolar transistor and the N-channel MOSFET provides the output signal of the driver. This driver uses much less area than a standard two-bipolar transistor BiCMOS driver with substantially equal performance.
(FR) Selon un mode de réalisation de cette invention, un dispositif à MOS complémentaire (CMOS) (32) inverse un signal d'entrée et entre ce signal inversé dans la base d'un transistor bipolaire n-p-n (Q3) dont le collecteur est couplé à une tension positive d'alimentation de courant. Le signal d'entrée couplé à l'entrée du dispositif CMOS est aussi couplé à la porte d'un large MOSFET (Q4) à canal-N dont le drain est couplé à l'émetteur du transistor bipolaire et dont la source est couplée à la terre. Le n÷ud commun (36) du transistor bipolaire et du MOSFET à canal-N fournit le signal de sortie de l'unité de commande. L'unité de commande utilise bien moins de surface qu'une unité de commande de BicMOS classique à deux transistors bipolaires, mais avec des performances pratiquement égales.
Designated States: AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MC, MG, MW, NL, NO, PL, RO, SD, SE, SU
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, ML, MR, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
AU1991079878