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1. (WO1991017565) PATTERNING METHOD FOR EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1991/017565 International Application No.: PCT/US1991/000729
Publication Date: 14.11.1991 International Filing Date: 04.02.1991
Chapter 2 Demand Filed: 21.10.1991
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20
Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth
Applicants:
BELL COMMUNICATIONS RESEARCH, INC. [US/US]; 290 West Mount Pleasant Avenue Livingston, NJ 07039-2729, US
Inventors:
GMITTER, Thomas, John; US
YABLONOVITCH, Eli; US
Agent:
WINTER, Richard, C.; PCT International, Inc. Post Office Box 573 New Vernon, NJ 07976 , US
GUENZER, Charles, S.; Bell Communications Research, Inc. 290 West Mount Pleasant Avenue Livingston, NJ 07039-2729, US
Priority Data:
516,17330.04.1990US
Title (EN) PATTERNING METHOD FOR EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESSING
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE MOTIFS POUR TECHNIQUE D'EFFACEMENT DE COUCHES EPITAXIALES PAR ENLEVEMENT
Abstract:
(EN) In the fabrication of microelectronic, optoelectronic, and photonic devices, methods are being used which involve selective processing of material in the presence of a patterned mask layer; for example, such processing may involve etching. Typically, mask layer material is chosen on the basis of response to suitable radiation, allowing for patterning by selective irradiation followed by selective removal of mask layer material. However, in so-called epitaxial lift-off processing, material (2, 3) to be processed may be covered with a support layer (4) of a material which is selected in view of desired mechanical and thermal properties, and which is not amenable to patterning by radiation. A method is described which provides for patterning of such layer by heated mechanical means (5, 9) such as, e.g., a heated stylus or roller.
(FR) Dans la fabrication de dispositifs micro-électroniques, opto-électroniques et photoniques, on utilise des procédés qui consistent à soumettre les matériaux à un traitement sélectif en présence d'une couche de masquage à motifs, un tel traitement sélectif pouvant par exemple inclure une attaque. Généralement, le matériau de la couche de masquage est choisi sur la base de sa réactivité à des rayonnements appropriés, ce qui permet la formation de motifs par exposition sélective à des rayonnements suivie par un enlèvement sélectif du matériau de la couche de masquage. Toutefois, dans la technique d'effacement de couches épitaxiales par enlèvement, le matériau (2, 3) à traiter peut être recouvert d'une couche de support (4) d'un matériau qui est choisi en fonction de propriétés mécaniques et thermiques désirées et qui n'est pas susceptible d'être soumis à un traitement de formation de motifs par rayonnements. L'invention décrit un procédé qui permet la formation de motifs sur une telle couche par des moyens mécaniques chauffés (5, 9), tels que notamment un stylet ou un rouleau chauffés.
Designated States: JP
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP0527744JPH05506542