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1. (WO1991009288) SENSOR FOR MEASURING FORCE AND/OR TRAVEL AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1991/009288 International Application No.: PCT/DE1990/000825
Publication Date: 27.06.1991 International Filing Date: 29.10.1990
Chapter 2 Demand Filed: 26.02.1991
IPC:
G01L 1/18 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
L
MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1
Measuring force or stress, in general
18
using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
Applicants:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstraße 54 D-80636 München, DE (AllExceptUS)
OFFEREINS, Henderikus, L. [DE/DE]; DE (UsOnly)
SANDMAIER, Hermann [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventors:
OFFEREINS, Henderikus, L.; DE
SANDMAIER, Hermann; DE
Agent:
SCHOPPE, Fritz; Seitnerstraße 42 D-8023 Pullach bei München, DE
Priority Data:
P 39 40 696.208.12.1989DE
Title (DE) SENSOR ZUM MESSEN EINER KRAFT UND/ODER EINES WEGES UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DESSELBEN
(EN) SENSOR FOR MEASURING FORCE AND/OR TRAVEL AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE
(FR) CAPTEUR POUR LA MESURE D'UNE FORCE ET/OU D'UNE COURSE ET PROCEDE POUR LA FABRICATION DUDIT CAPTEUR
Abstract:
(DE) Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Sensors zum Messen einer Kraft und/oder eines Weges, der einen Sensorkörper (2, 2') mit einem Wirkbereich (3) aufweist, welcher eine faltenartige Struktur hat, werden folgende Verfahrensschritte durchgeführt: beidseitiges Aufbringen von gegen ein Ätzmittel beständigen Schichten auf die Hauptflächen eines Halbleiterwafers, Erzeugen von Öffnungen in den beiden Schichten mittels eines Photoresistprozesses, anisotropes beidseitiges Ätzen von im wesentlichen V-förmigen Ausnehmungen in den Halbleiterwafer, und Unterteilen des Halbleiterwafers in die einzelnen Sensorkörper (2, 2').
(EN) In a process for manufacturing a sensor for measuring a force and/or a travel which has a sensor body (2, 2') with an operating region (3) having a bellows structure, the following steps are performed: application of etchproof coatings on both sides of the main surfaces of a semiconductor wafer; making apertures in both coatings by a photoresist process; anisotropic etching of essentially V-shaped recesses on both sides of the semiconductor wafer; and dividing the semiconductor wafer into the individual sensor bodies (2, 2').
(FR) Dans un procédé pour la fabrication d'un capteur pour la mesure d'une force et/ou d'une course, lequel présente un corps de capteur (2, 2') avec un champ d'action (3) à structure plissée, les opérations de base suivantes sont effectuées: application de part et d'autre de couches résistant à un agent de gravure sur les surfaces principales d'une galette semiconductrice, réalisation d'ouvertures dans les deux couches au moyen d'un procédé par résine photosensible, gravure anisotrope sur les deux faces de creux essentiellement en V dans la galette semiconductrice, et subdivision de la galette semiconductrice en différents corps de capteur (2, 2').
Designated States: JP, KR, US
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)
Also published as:
EP0504149