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1. (WO1991007774) PROCESS AND DEVICE FOR PRODUCING A SILICATE LAYER IN AN INTEGRATED CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1991/007774 International Application No.: PCT/DE1990/000857
Publication Date: 30.05.1991 International Filing Date: 09.11.1990
Chapter 2 Demand Filed: 28.02.1991
IPC:
H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
31
to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers
312
Organic layers, e.g. photoresist
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
31
to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers
314
Inorganic layers
316
composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass
Applicants:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstraße 54 D-80636 München, DE (AllExceptUS)
SIGMUND, Hermann [DE/DE]; DE (UsOnly)
KLUMPP, Armin [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventors:
SIGMUND, Hermann; DE
KLUMPP, Armin; DE
Agent:
SCHOPPE, Fritz; Seitnerstraße 42 D-8023 Pullach, DE
Priority Data:
P 39 37 723.713.11.1989DE
Title (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN EINER SILIKATSCHICHT IN EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG
(EN) PROCESS AND DEVICE FOR PRODUCING A SILICATE LAYER IN AN INTEGRATED CIRCUIT
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR LA PRODUCTION D'UNE COUCHE DE SILICATE DANS UN CIRCUIT INTEGRE
Abstract:
(DE) Eine Silikatschicht, die insbesondere als Zwischenoxidisolationsschicht in einer integrierten Schaltung zum Ausgleichen topographischer Unebenheiten dient, wird durch folgende Verfahrensschritte hergestellt: Photoinduziertes Polymerisieren von Polysiloxan mittels Gasphasenreaktion ausgehend von einer SiO-haltigen oder SiC-haltigen organischen Verbindung zusammen mit einem O2-haltigen und/oder einem N2O-haltigen Gas bei einer ersten Temperatur und einem ersten Druck in einem Reaktionsraum; Kondensieren von Polysiloxan zum Erzeugen einer Polysiloxanschicht auf einer Struktur, insbesondere auf den Schaltungsstrukturen der integrierten Schaltung, in einem von dem Reaktionsraum getrennten Kondensationsraum bei einer zweiten, unterhalb der ersten Temperatur liegenden Temperatur, die mindestens so hoch ist, daß die SiO-haltige oder SiC-haltige organische Verbindung bei einem vorgegebenen zweiten Druck im Kondensationsraum nicht mehr kondensiert, jedoch höher ist als die Temperatur, bei der Polysiloxan bei dem zweiten Druck kondensiert; und Umwandeln der Polysiloxanschicht in die Silikatschicht.
(EN) Described is a process for producing a silicate layer, in particular an intermediate-oxide insulation layer used to equalize surface irregularities in an integrated circuit, by means of the following steps: Polysiloxane is first produced by photo-inductive polymerization in the gas phase, beginning with an SiO-containing or SiC-containing organic compound plus an O2-containing and/or N2O-containing gas at a first temperature and a first pressure in a reaction chamber; the polysiloxane is condensed to give a polysiloxane layer on a surface structure, in particular the circuit structure of an integrated circuit, in a condensation chamber separate from the reaction chamber and at a second temperature lower than the first, the second temperature being high enough for the SiO-containing or SiC-containing organic compound not to condense at a given second pressure in the condensation chamber but higher than the temperature at which the polysiloxane condenses at the second pressure; the polysiloxane layer is then converted into a silicate layer.
(FR) Une couche de silicate, servant notamment de couche isolante intermédiaire d'oxyde dans un circuit intégré pour la compensation d'inégalités topographiques, est fabriquée selon un procédé comportant les étapes suivantes: polymérisation photo-induite de polysiloxanne par réaction en phase gazeuse, à partir d'un composé organique à teneur en SiO ou en SiC, conjointement avec un gaz à teneur en O2 et/ou en N2O, à une première température et une première pression, dans une enceinte réactionnelle; condensation du polysiloxane en vue d'obtenir une couche de polysiloxane sur une structure, notamment sur les structures du circuit intégré, dans une enceinte de condensation séparée de l'enceinte réactionnelle, à une second température, inférieure à la première température, et qui est au moins à une valeur telle que le composé organique à teneur en SiO ou en SiC ne se condense plus sous une seconde pression prédéterminée, dans l'enceinte de condensation, mais qui est toutefois supérieure à la température à laquelle le polysiloxane se condense sous la seconde pression; et transformation de la couche de polysiloxane en couche de silicate.
Designated States: JP, US
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)
Also published as:
EP0500615US5262358JPH05500885