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1. (WO1991007010) OPTICAL AMPLIFIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1991/007010 International Application No.: PCT/US1990/006074
Publication Date: 16.05.1991 International Filing Date: 26.10.1990
Chapter 2 Demand Filed: 15.05.1991
IPC:
H01S 5/187 (2006.01) ,H01S 5/50 (2006.01) ,H04B 10/17 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
18
Surface-emitting lasers (SE-lasers)
187
using a distributed Bragg reflector (SE-DBR-lasers)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
50
Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02-H01S5/30100
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
B
TRANSMISSION
10
Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
12
Transmission through light guides, e.g. optical fibres
16
Repeaters
17
in which processing or amplification is carried out without conversion of the signal from optical form
Applicants:
DAVID SARNOFF RESEARCH CENTER, INC. [US/US]; 201 Washington Road CN 5300 Princeton, NJ 08543-5300, US
Inventors:
CARLSON, Nils, William; US
EVANS, Gary, Alan; US
HAMMER, Jacob, Meyer; US
ETTENBERG, Michael; US
Agent:
BURKE, William, J.; David Sarnoff Research Center, Inc. 201 Washington Road CN5300 Princeton, NJ 08543-5300, US
Priority Data:
428,69530.10.1989US
Title (EN) OPTICAL AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR OPTIQUE
Abstract:
(EN) An optical amplifier (10) comprising a substrate (18) of a semiconductor material having a pair of opposed surfaces (20 and 22) and a body of semiconductor material (24) on one of the surfaces. The body includes a pair of clad layers (26 and 28) of opposite conductivity types having an intermediate quantum well region (30) therebetween. The clad layers (26 and 28) and quantum well region (30) form a wave guide (24) which extends along the body. A gain section (12) is in the body along the waveguide (24). The gain section (12) is adapted to generate light in the active region when a voltage is applied thereacross. The light input section (14) is adapted to direct light into the body and along the waveguide (24). A light output section (16) having a grating (42) extending across the body is at the other end of the gain section (12). The periods of the gratings (42) are such that no self-oscillation of the light in the waveguide occurs.
(FR) Un amplificateur optique (10) comprend un substrat (18) en matériau semiconducteur ayant une paire de surfaces opposées (20 et 22) et un corps en matériau semiconducteur (24) sur l'une des surfaces. Le corps comprend une paire de couches de revêtement (26 et 28) ayant des types de conductivité opposés et une région de puits quantique intermédiaire (30) entre les deux couches. Les couches de revêtement (26 et 28) et la région de puits quantique (30) forment un guide d'ondes (24) qui s'étend le long du corps. Une section de gain (12) se trouve dans le corps le long du guide d'ondes (240. La section de gain (12) est adaptée pour générer de la lumière dans la région active lorsqu'une tension y est appliquée. La section d'entrée de lumière (14) est adaptée pour diriger la lumière dans le corps et le long du guide d'ondes (24). Une section de sortie de lumière (16) ayant un réseau (42) s'étendant en travers du corps se trouve à l'autre extrémité de la section de gain (12). Les périodes des réseaux (42) sont telles qu'il ne se produit aucune auto-oscillation de lumière dans le guide d'ondes.
Designated States: JP
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)