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1. (WO1991006969) METAL-ION SOURCE AND PROCESS FOR THE GENERATION OF METAL IONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1991/006969 International Application No.: PCT/DE1990/000666
Publication Date: 16.05.1991 International Filing Date: 31.08.1990
Chapter 2 Demand Filed: 05.02.1991
IPC:
H01J 27/22 (2006.01) ,H01J 37/08 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
J
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
27
Ion beam tubes
02
Ion sources; Ion guns
20
using particle bombardment, e.g. ionisers
22
Metal ion sources
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
J
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37
Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02
Details
04
Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
08
Ion sources; Ion guns
Applicants:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstraße 54 D-80636 München, DE (AllExceptUS)
KLUGE, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
NELLE, Peter [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventors:
KLUGE, Andreas; DE
NELLE, Peter; DE
Agent:
SCHOPPE, Fritz; Seitnerstraße 42 D-8023 Pullach, DE
Priority Data:
P 39 35 408.324.10.1989DE
Title (DE) METALLIONENQUELLE UND VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON METALLIONEN
(EN) METAL-ION SOURCE AND PROCESS FOR THE GENERATION OF METAL IONS
(FR) SOURCE D'IONS METALLIQUES ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION D'IONS METALLIQUES
Abstract:
(DE) Zur Vereinfachung der Struktur einer Metallionenquelle, insbesondere für die Implantation niedriger Dosen von schwer verdampfbaren Metallen in Halbleiterwafern, umfasst die Metallionenquelle eine elektrisch beheizbare Glühkathode in Form eines Heizdrahtes innerhalb einer Ionenkammer (1a), wobei der Heizdraht (3) nahe an einem Metallteil (6) aus dem zur Abgabe der Metallionen bestimmten Metall angeordnet ist und im wesentlichen auf dessen Potential liegt.
(EN) In order to simplify the structure of a metal-ion source, in particular a source for the implantation of low doses of non-volatile metals in semiconductor wafers, the invention calls for the metal-ion source to include an electrically-heated thermionic cathode in the form of a hot wire inside an ion chamber (1a), the hot wire (3) being located close to an element (6) made of the metal to be ionized and being at substantially the same potential.
(FR) Pour simplifier la structure d'une source d'ions métalliques, en particulier pour l'implantation de faibles doses de métaux difficilement évaporables dans des tranches de silicium semiconductrices, la source d'ions métalliques comporte une cathode incandescente chauffable électriquement sous la forme d'un filament chauffant à l'intérieur d'une chambre à ions (1a), ledit filament chauffant (3) étant disposé près d'une pièce métallique (6) dans le métal destiné au dégagement d'ions métalliques et placé essentiellement au potentiel dudit métal.
Designated States: JP, US
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)
Also published as:
EP0470209US5315121