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1. (WO1991006123) SOLID-STATE IMAGER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1991/006123 International Application No.: PCT/US1990/005495
Publication Date: 02.05.1991 International Filing Date: 01.10.1990
IPC:
H01L 27/148 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144
Devices controlled by radiation
146
Imager structures
148
Charge coupled imagers
Applicants:
EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street Rochester, NY 14650, US
Inventors:
STEVENS, Eric, Gordon; US
Agent:
SCHAPER, Donald, D.; 343 State Street Rochester, NY 14650-2201, US
Priority Data:
420,85712.10.1989US
Title (EN) SOLID-STATE IMAGER
(FR) CAPTEUR D'IMAGES A SEMICONDUCTEURS
Abstract:
(EN) A solid-state imager comprising a substrate (12) of a semiconductor material of one conductivity type having a major surface (14). A plurality of photodetectors (16) are in the substrate (12) and are arranged in an array of rows and columns. A separate CCD shift register (18) is in the substrate (12) along each column of the photodetectors (16) and between adjacent columns of the photodetectors (16). Each shift register (18) includes gates (44) which can be operated to selectively transfer charge carriers from the photodetectors (16) into the shift register (18). A separate drain (24) is located adjacent each photodetector (16) and a shift register (18). An anti-blooming barrier (26) is provided between each drain (24) and its adjacent photodetector (16). An exposure control barrier (28) is provided between each drain (24) and the adjacent shift register (18). The shift registers (18) are adpated to be operated to selectively reset the photodetectors (16) by transferring charge carriers from the photodetectors (16) across the shift registers (18) to the drains (24).
(FR) Capteur d'images à semiconducteurs comprenant un substrat (12) en matière semiconductrice d'un type de conductivité, présentant une surface principale (14). Une pluralité de photodétecteurs (16) se situent dans le substrat (12) et sont agencés dans un réseau de rangées et de colonnes. Un registre à décalage (18) à couplage de charge séparé se trouve dans le substrat (12) le long de chaque colonne des photodétecteurs (16) et entre des colonnes adjacentes de photodétecteurs (16). Chaque registre à décalage (18) comprend des portes (44), lesquelles peuvent être actionnées pour transférer sélectivement des porteurs de charge des photodétecteurs (16) jusque dans le registre à décalage (18). Un drain (24) séparé est situé à proximité de chaque photodétecteur (16) et d'un registre à décalage (18). Une barrière (26) anti-flou est ménagée entre chaque drain (24) et son photodétecteur (16) adjacent. Une barrière (28) de commande d'exposition est ménagée entre chaque drain (24) et le registre à décalage (18) adjacent. Les registres à décalage (18) sont adaptés pour être commandés afin de remettre sélectivement à l'état initial les photodétecteurs (16), par transfert des porteurs de charge des photodétecteurs (16) jusqu'aux drains (24) en passant par les registres à décalage (18).
Designated States: JP
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
EP0447518