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1. (WO1991005891) APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/1991/005891 International Application No.: PCT/JP1990/001319
Publication Date: 02.05.1991 International Filing Date: 12.10.1990
IPC:
C30B 15/14 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
30
CRYSTAL GROWTH
B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
15
Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
14
Heating of the melt or the crystallised materials
Applicants:
NKK CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 100, JP (AllExceptUS)
SHIMA, Yoshinobu [JP/JP]; JP (UsOnly)
ARAKI, Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
KAMIO, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
SUZUKI, Makoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors:
SHIMA, Yoshinobu; JP
ARAKI, Kenji; JP
KAMIO, Hiroshi; JP
SUZUKI, Makoto; JP
Agent:
KIMURA, Saburo ; The 6th Central Bldg. 6F 19-10, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 105, JP
Priority Data:
1/26880016.10.1989JP
Title (EN) APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTALS
(FR) APPAREIL DESTINE A FABRIQUER DES MONOCRISTAUX DE SILICIUM
Abstract:
(EN) An apparatus for manufacturing silicon single crystals, adapted to pull up large-diameter silicon single crystals at a high yield and with a high efficiency by a rotary CZ method. A thermal shield the position and shielding width of which are specified is provided as a means for preventing the solidification, which is one of the causes of lowering the yield and productive efficiency, of molten silicon near a partitioning member, in such a manner that the thermal shield faces a meniscus portion of the molten liquid, whereby the heat radiated from the meniscus portion is shielded. This apparatus has a cylindrical body, a frusto-conical body, ora cylindrical body with a central opening-carrying flange at the bottom portion thereof. The material consists mainly of a metal, such as molybdenum and tantalum, or an electric resistance heating body.
(FR) Appareil destiné à fabriquer des monocristaux de silicium et apte à extraire des monocristaux de silicium de grand diamètre avec un rendement et un débit élevés, au moyen d'un procédé CZ rotatif. Un écran de chaleur, dont la position et la largeur sont spécifiées, sert à empêcher la solidification, laquelle est une des causes d'un faible rendement et d'une productivité réduite, du silicium en fusion à proximité d'un élément séparateur, de sorte que l'écran de chaleur fasse face à une partie superficielle du liquide en fusion, la chaleur rayonnée par la partie superficielle étant arrêtée. Cet appareil possède un corps cylindrique, un corps en forme de cône tronqué, ou un corps cylindrique dans la partie inférieure duquel se trouve une bride porteuse à ouverture centrale. Le matériau est constitué principalement d'un métal, tel que le molybdène et le tantale, ou d'un corps chauffant à résistance électrique.
Designated States: FI, JP, KR, US
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
FI912889EP0450089US5139750KR1019927001529