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1. (WO1991003918) THIN-FILM EL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1991/003918    International Application No.:    PCT/JP1989/000909
Publication Date: 21.03.1991 International Filing Date: 04.09.1989
Chapter 2 Demand Filed:    20.03.1991    
IPC:
C09K 11/77 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H05B 33/14 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO [JP/JP]; 3-6, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP) (For All Designated States Except US).
NIRE, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NIRE, Takashi; (JP)
Agent: YONEHARA, Masaaki; Bansui Bldg., 5-16, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Priority Data:
Title (EN) THIN-FILM EL ELEMENT
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A FILM MINCE
Abstract: front page image
(EN)A thin-film EL element which improves the light-emitting efficiency, which prevents crystal defect from developing, and which emits light of various colors on a low voltage. The thin-film EL element is of the double dielectric member structure which consists of a transparent conductor film (2), a first dielectric member (3), a light-emitting layer (4) and a second dielectric member (5) that are laminated on a transparent substrate (1), and electrodes (6a, 6b) being attached to the transparent conductor film (2) and to the second dielectric member (5). The feature resides in that the light-emitting layer has a super lattice structure of light-emitting member/light-emitting member : luminescence center impurities. Without the need of adding elements for compensating the electric charge, therefore, a variety of luminescence center impurities can be contained while maintaining electrically neutral property in the light-emitting layer.
(FR)Elément électroluminescent à film mince présentant un meilleur rendement d'émission lumineuse, empêchant le développement de défauts cristallins et émettant une lumière de différentes couleurs avec une faible tension. Cet élément électroluminescent à film mince présente une structure à élément diélectrique double, composée d'un film conducteur transparent (2), d'un premier élément diélectrique (3), d'une couche photoémettrice (4) et d'un deuxième élément diélectrique (5) qui sont stratifiés sur un substrat transparent (1), et d'électrodes (6a, 6b) fixées sur le film conducteur transparent (2) et sur le deuxième élément diélectrique (5). La caractéristique consiste en ce que la couche photoémettrice présente une structure superréticulaire d'élément photoémetteur/élément photoémetteur : impuretés de centre de luminescence. Par conséquent, sans qu'il soit nécessaire d'ajouter des éléments de compensation de la charge électrique, on peut contenir un ensemble d'impuretés de centre de luminescence différentes tout en maintenant une propriété électriquement neutre dans la couche photoémettrice.
Designated States: FI, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)