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1. (WO1991003074) PROCESS FOR STRUCTURING A SEMICONDUCTOR BODY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1991/003074    International Application No.:    PCT/DE1990/000596
Publication Date: 07.03.1991 International Filing Date: 03.08.1990
Chapter 2 Demand Filed:    21.01.1991    
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3063 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
MAREK, Jiri [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAACK, Dietmar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WARTH, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BANTIEN, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FINDLER, Günther [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MAREK, Jiri; (DE).
HAACK, Dietmar; (DE).
WARTH, Martin; (DE).
BANTIEN, Frank; (DE).
FINDLER, Günther; (DE)
Priority Data:
G 89 09 850.1 U 17.08.1989 DE
P 40 00 496.1 10.01.1990 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR STRUCKTURIERUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
(EN) PROCESS FOR STRUCTURING A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) PROCEDE POUR LA STRUCTURATION D'UN CORPS SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Strukturierung eines scheibenförmigen, vorzugsweise einkristallinien, insbesondere aus Silizium bestehenden Halbleiterkörpers (10) vorgeschlagen. Mit Hilfe der Fotomaskierungstechnik wird zuerst mindestens eine Ausnehmung (13, 13a, 13b) mit im wesentlichen senkrecht zu den beiden Hauptoberflächen des Halbleiterkörpers (10) verlaufenden seitlichen Begrenzungsflächen und einer im wesentlichen parallel zu den beiden Hauptoberflächen verlaufenden Bodenfläche von einer der beiden Hauptoberflächen aus durch anisotropes reaktives Ionenätzen in den Halbleiterkörper (10) eingeätzt und anschließend die Ausnehmung (13, 13a, 13b) in der Nähe ihrer Bodenfläche durch laterales Ätzen mit einer Erweiterung (17) versehen.
(EN)In a process for structuring a disk-shaped, preferably monocrystalline semiconductor body (10), in particular made of silicon, at least one recess (13, 13a, 13b) is made by the photomasking technique. The recess has lateral limiting surfaces which are essentially perpendicular to the two main surfaces of the semiconductor body (10) and a base surface which is essentially parallel to the two main surfaces. The recess is produced by anisotropic reactive ionic etching of one of the two main surfaces. The recess (13, 13a, 13b) is then provided with widened portion (17) in the vicinity of its base surface by lateral etching.
(FR)Il est proposé un procédé pour la structuration d'un corps semiconducteur (10) en forme de disque, de préférence monocristallin, en particulier en silicium. A l'aide de la technique de photomasquage, au moins un évidement (13, 13a, 13b) est tout d'abord ménagé dans le corps semiconducteur (10) par corrosion ionique anisotrope réactive, avec des surfaces latérales limitantes sensiblement perpendiculaires aux deux surfaces principales du corps semiconducteur (10) et avec une surface de fond sensiblement parallèle aux deux surfaces principales, depuis l'une des deux surfaces principales, puis l'évidement (13, 13a, 13b) est doté d'une partie élargie (17) par corrosion latérale à proximité de sa surface de fond.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)