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1. (WO1990015443) MOS DEVICE FOR LONG-TERM LEARNING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/1990/015443 International Application No.: PCT/US1990/003001
Publication Date: 13.12.1990 International Filing Date: 05.06.1990
IPC:
H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01)
Applicants: SYNAPTICS, INC.[US/US]; 2860 Zanker Road San Jose, CA 95134, US
Inventors: ANDERSON, Janeen, D., W.; US
MEAD, Carver, A.; US
Agent: D'ALESSANDRO, Kenneth ; 611 West Sixth Street 34th Floor Los Angeles, CA 90017, US
Priority Data:
363,67809.06.1989US
Title (EN) MOS DEVICE FOR LONG-TERM LEARNING
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE METALLIQUE POUR APPRENTISSAGE A LONG TERME
Abstract:
(EN) A semiconductor structure for long-term learning includes an n-type silicon substrate having a p-well region formed therein. An n-type region is formed within the well region. A polysilicon floating gate is separated from the surface of the silicon substrate by a gate oxide and is positioned above the well region. One edge of the polysilicon floating gate is aligned with the edge of the n-type region within the well region such that the polysilicon floating gate does not appreciably overly the n-type region. The substrate, the well, and the n-type region, respectively, form the emitter, base, and collector of a bipolar transistor.
(FR) Une structure à semi-conducteur pour apprentissage à long terme comprend un substrat en silicium de type n ayant une région de puits p. Une porte flottante en polysilicium est séparée de la surface du substrat de silicium par un oxyde de porte et est positionné au-dessus de la région du puits. Un bord de la porte flottante en polysilicium est aligné avec le bord de la région de type n dans la région du puits de sorte que la porte flottante en polysilicium ne recouvre pas de manière sensible la région de type n. Le substrat, le puits et la région de type n forment, respectivement, l'émetteur, la base et le collecteur d'un transistor bipolaire.
Designated States: European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)