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1. (WO1990015413) PROGRAMMING VOLTAGE CONTROL CIRCUIT FOR EPROMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1990/015413    International Application No.:    PCT/US1990/002829
Publication Date: 13.12.1990 International Filing Date: 18.05.1990
IPC:
G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/30 (2006.01)
Applicants: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 3901 North First Street, San Jose, CA 95134 (US)
Inventors: VIDER, Dov-Ami; (US)
Agent: BLAKELY, Roger, W., Jr.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
358,558 30.05.1989 US
Title (EN) PROGRAMMING VOLTAGE CONTROL CIRCUIT FOR EPROMS
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE DE TENSION DE PROGRAMMATION POUR EPROMS
Abstract: front page image
(EN)Apparatus for controlling the programming voltage of an EPROM array composed of a plurality of programmable floating gate MOS cells (10) which includes an additional floating gate MOS cell (30, 32) fabricated on the same chip and in the same manner as the array of cells, the additional cell not being connected for programming during the normal programming of the array. A voltage is applied to the additional cell to generate a drain current through the cell. A feedback control (22) is connected between the source of external programming voltage for the array and the actual voltage within the array used for programming the cells, the feedback control using the amplitude of the drain current in the additional cell to control the magnitude of the actual programming voltage in the array in such a manner that when the drain current of the additional cell increases, the programming voltage decreases proportionately. The drain current in the additional cell can also be used for compensating for variations in the fixed programming voltage.
(FR)Un appareil de commande de la tension de programmation d'un réseau EPROM composé d'une pluralité de cellules MOS de porte flottante programmable (10) comprend une cellule MOS de porte flottante supplémentaire (30, 32) fabriquée sur la même puce et de la même manière que le réseau de cellules, la cellule supplémentaire n'étant pas connectée pour la programmation pendant la programmation normale du réseau. Une tension est appliquée à la cellule additionnelle pour générer un courant de drain au travers de la cellule. Une commande de rétroaction (22) est connectée entre la source de la tension de programmation externe pour le réseau et la tension réelle dans le réseau utilisée pour la programmation des cellules, la commande de rétroaction utilisant l'amplitude du courant de drain dans la cellule supplémentaire pour commander l'intensité de la tension de programmation réelle dans le réseau de manière que, lorsque le courant de drain de la cellule additionnelle augmente, la tension de programmation diminue proportionnellement. Le courant de drain de la cellule additionnelle peut également être utilisé pour compenser les variations de la tension de programmation fixe.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)