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1. (WO1990003955) METAL OXIDE DIELECTRIC DENSE BODIES, PRECURSOR POWDERS THEREFOR, AND METHODS FOR PREPARING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1990/003955    International Application No.:    PCT/US1989/004613
Publication Date: 19.04.1990 International Filing Date: 13.10.1989
Chapter 2 Demand Filed:    06.04.1990    
IPC:
C04B 35/14 (2006.01), C04B 35/18 (2006.01), C04B 35/195 (2006.01)
Applicants: RAYCHEM CORPORATION [US/US]; 300 Constitution Drive, Menlo Park, CA 94025 (US) (For All Designated States Except US).
DUPON, Ryan, W. [US/US]; (US) (For US Only).
THOMPSON, Mark, S. [US/US]; (US) (For US Only).
WISEMAN, Gary, H. [US/US]; (US) (For US Only).
MUSOLF, Douglas, J. [US/US]; (US) (For US Only).
TANOUS, Adam, S. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DUPON, Ryan, W.; (US).
THOMPSON, Mark, S.; (US).
WISEMAN, Gary, H.; (US).
MUSOLF, Douglas, J.; (US).
TANOUS, Adam, S.; (US)
Agent: CHAO, Yuan; Raychem Corporation, M.S. 120/6600, 300 Constitution Drive, Menlo Park, CA 94025-1164 (US)
Priority Data:
258,272 14.10.1988 US
258,277 14.10.1988 US
258,278 14.10.1988 US
Title (EN) METAL OXIDE DIELECTRIC DENSE BODIES, PRECURSOR POWDERS THEREFOR, AND METHODS FOR PREPARING SAME
(FR) CORPS DENSES DIELECTRIQUES EN OXYDE METALLIQUE, POUDRES DE PRECURSEUR RELATIVES ET PROCEDES DE PREPARATION
Abstract: front page image
(EN)A metal oxide dielectric dense body, comprising (I) grains having a predominant crystalline phase (a) a primary metal oxide selected from the group consisting of silicon and magnesium oxide and (b) optionally a secondary metal oxide selected from the group consisting of aluminum and zinc oxide and (II) between about 1 and about 20 atom % bismuth, vanadium, or boron oxide or combinations thereof, discontinuously located at the boundaries of the crystalline grains or as inclusions in the crystalline grains, the atom %'s based on the total atoms of bismuth, vanadium, boron, silicon, magnesium, aluminum, and zinc. The dense body has a density which is at least 95 % of theoretical.
(FR)Corps dense diélectrique en oxyde métallique, comprenant (I) des grains présentant une phase cristalline prédominante, (a) un oxyde métallique primaire sélectionné dans le groupe composé d'oxyde de silicium et de magnésium et (b) éventuellement un oxyde métallique secondaire sélectionné dans le groupe composé d'oxyde d'aluminium et de zinc, et (II) entre environ 1 % et environ 20 % d'atomes d'oxyde de bismuth, vanadium ou bore et leurs combinaisons, situés de manière discontinue dans les frontières des grains cristallins ou sous forme d'inclusions dans les grains cristallins, la valeur du pourcentage atomique se fondant sur la totalité des atomes de bismuth, vanadium, bore, silicium, magnésium, aluminium et zinc. Ce corps dense présente une densité qui est au moins égale à 95 % de la densité théorique.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)