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1. (WO1990003952) METHOD OF GROWING SILICON INGOTS USING A ROTATING MELT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1990/003952    International Application No.:    PCT/US1989/004468
Publication Date: 19.04.1990 International Filing Date: 05.10.1989
Chapter 2 Demand Filed:    07.05.1990    
IPC:
C30B 11/00 (2006.01)
Applicants: CRYSTAL SYSTEMS, INC. [US/US]; 27 Congress Street, Shetland Industrial Park, Salem, MA 01970 (US)
Inventors: SCHMID, Frederick; (US).
KHATTAK, Chandra, P.; (US)
Agent: WEISSBURG, Steven, J.; Hale and Dorr, 60 State Street, Boston, MA 02109 (US)
Priority Data:
255,136 07.10.1988 US
Title (EN) METHOD OF GROWING SILICON INGOTS USING A ROTATING MELT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE LINGOTS DE SILICIUM PAR CROISSANCE CRISTALLINE AU MOYEN D'UN BAIN DE FUSION ROTATIF
Abstract: front page image
(EN)The invention is a method and apparatus for producing silicon ingots of substantially single crystallinity from metallurgical grade silicon by heating it in a crucible to above its melting point to melt it and then extracting heat from the bottom of the crucible with a heat exchanger in heat conducting relationship with the bottom, and by moving the crucible and growing crystal in a first direction and accelerating the motion, thereby detaching from the crystal/liquid interface adhered impurity particles. The crucible may be rotated and the acceleration may be rotational.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé et à un appareil servant à produire des lingots de silicium d'une structure cristalline sensiblement unique à partir de silicium de qualité métallurgique. Ledit procédé consiste à chauffer le silicium dans un creuset jusqu'à dépasser son point de fusion pour le faire fondre et ensuite à extraire la chaleur du fond du creuset au moyen d'un échangeur de chaleur se trouvant en relation de thermoconduction avec le fond du creuset, puis à mettre le creuset en mouvement et à effectuer la croissance cristalline dans une première direction et à accélérer le mouvement, de façon à détacher de l'interface cristaux/liquide les particules d'impuretés ayant adhéré. Le creuset peut être mis en rotation et l'accélération peut être rotative.
Designated States: JP.
European Patent Office (BE, DE, FR, GB, IT, LU, NL).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)